Зебрев Г.И.

Зебрев Геннадий Иванович

Ученая степень: доктор технических наук

Профессор

Кафедра микро- и наноэлектроники (№27) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
Работает в МИФИ с 1999 года
Научно-педагогический стаж: 26 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский инженерно-физический институт. 1984. Специальность «Теоретическая ядерная физика». Kвалификация «инженер-физик»

Преподаваемые дисциплины

1. Надежность и радиационная стойкость интегральных микросхем
2. Основы физики полупроводниковых приборов
3. Теоретическая физика: основы наноэлектроники
4. Физика микро- и наноструктур

Публикационная активность

9
Индекс Хирша (Web of Science)
14
Индекс Хирша (Scopus)
13
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. Статья Article
    Web of Science & Scopus
    Micro-Hotplate for Thermocatalytic Gas Sensor Fabricated by Ceramic Laser Micromachining // Micromachines, 2026 Vol. 17, No. 1 doi
  2. журнал ВАК Physics-Based Modeling of the Single Event Upset Critical Charge in Digital Electronics // Russian Microelectronics, 2025 Vol. 54, No. 8 pp. 948-952 doi
  3. журнал ВАК Accounting for Mobility Reduction, Body Effect, and Drift Velocity Saturation in the Extrinsic MOSFET Saturation Current Equation // Russian Microelectronics, 2025 Vol. 54, No. 8 pp. 929-935 doi
  4. журнал РИНЦ Современные достижения и тенденции в области разработки микросхем на основе чиплетов // Труды НИИСИ, 2025г. Т. 15, Вып. 3 Стр. 23-32 doi
  5. труды конференции РИНЦ РАДИАЦИОННЫЙ ШУМ КОСМИЧЕСКИХ ИЗЛУЧЕНИЙ И СТАТИСТИКА МНОЖЕСТВЕННЫХ СБОЕВ В ЦИФРОВОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКЕ // Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2025, 2025г. Стр. 180
  6. труды конференции РИНЦ СТАТИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КРАТНОСТЕЙ МНОЖЕСТВЕННЫХ СБОЕВ В НАНОРАЗМЕРНОЙ ПАМЯТИ // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2025, 2025г. Стр. 40-41
  7. труды конференции РИНЦ МЕТОДОЛОГИЯ ОЦЕНКИ ВЕРОЯТНОСТИ ОДИНОЧНОЙ ЗАЩЕЛКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИОНОВ И ПРОТОНОВ В КОСМОСЕ // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2025, 2025г. Стр. 37-39
  8. труды конференции РИНЦ Общий подход к моделированию критического заряда для одиночных эффектов в цифровых КМОП схемах // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2024, 2024г. Стр. 213-214
  9. труды конференции РИНЦ Aналитическая модель вычисления сечений тиристорного эффекта от источников нейтронов различного энергетического спектра и для различных температур // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2024, 2024г. Стр. 112-113
  10. Статья Article
    Web of Science & Scopus
    Proton- and Neutron-Induced SEU Cross-Section Modeling and Simulation: A Unified Analytical Approach // Radiation, 2024 Vol. 4, No. 1, Нет pp. 37-49 doi
  11. журнал ВАК ОЦЕНКА СЕЧЕНИЙ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ КАК ФУНКЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ НОРМЫ В ЦИФРОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ МАЛЫХ СПУТНИКОВ // Датчики и системы, 2024г. Вып. 5 Стр. 35-37 doi
  12. Статья Article
    Web of Science & Scopus
    Accounting for Carrier Mobility Reduction due to the Normal Field in the Saturation Current Modeling of Extrinsic MOSFETs // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. Suppl 1, Q4 pp. S6-S13 doi
  13. труды конференции РИНЦ ФИЗИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ НАПРЯЖЕНИЯ УДЕРЖАНИЯ ЗАЩЕЛКИ В КМОП ЦИФРОВЫХ ИС // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 57-59
  14. труды конференции РИНЦ МОДЕЛЬ ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЙ СЕЧЕНИЙ ОРЭ ОТ НЕЙТРОНОВ С УЧЕТОМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАСШТАБИРОВАНИЯ ЦИФРОВЫХ ИС // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 113-114
  15. труды конференции РИНЦ МОДЕЛИ ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЯ СЕЧЕНИЯ ОРЭ В ЭКБ ОТ НЕЙТРОНОВ РАЗЛИЧНОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА: СПЕКТРА ДЕЛЕНИЯ, 14 МэВ, АТМОСФЕРНЫЕ НЕЙТРОНЫ // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 106-107
  16. труды конференции РИНЦ КОМПАКТНАЯ МОДЕЛЬ p-GaN HEMT // Современные проблемы физики и технологий, 2023г. Стр. 185-186
  17. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ХАРАКТЕРИЗАЦИИ И МОДЕЛИРОВАНИЯ СИЛОВЫХ НИТРИД-ГАЛЛИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 78-79
  18. Статья Article Article
    Web of Science & Scopus
    Analytical Physics-Based Modeling of Electron Channel Density in Nanosheet and Nanowire Transistors // IEEE Transactions on Electron Devices, 2023 Q1 doi

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

27 января 2021 — 5 февраля 2021 Разработка электронного учебного контента (12 часов) НИЯУ МИФИ, Москва

Членство в редколлегиях научных журналов

с июля 2019 IOP Conference Series: Materials Science and Engineering(Серия конференций IOP: материаловедение и инженерия)
нояб. 2015 — июня 2017 IOP Conference Series: Materials Science and Engineering(Серия конференций IOP: материаловедение и инженерия)

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»