Зебрев Г.И.

Зебрев Геннадий Иванович

Ученая степень: доктор технических наук

Профессор

Кафедра микро- и наноэлектроники (27, ИНТЭЛ КАФ.27)
Работает в МИФИ с 1999 года
Научно-педагогический стаж: 24 года

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский инженерно-физический институт. 1984. Специальность «Ядерная физика». Kвалификация «инженер-физик».

Преподаваемые дисциплины

1. Надежность и радиационная стойкость интегральных микросхем
2. Теоретическая физика: основы наноэлектроники
3. Физика микро- и наноструктур

Публикационная активность

9
Индекс Хирша (Web of Science)
13
Индекс Хирша (Scopus)
13
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. Статья
    Web of Science & Scopus
    Accounting for Carrier Mobility Reduction due to the Normal Field in the Saturation Current Modeling of Extrinsic MOSFETs // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. Suppl 1 pp. S6-S13 doi
  2. труды конференции РИНЦ ФИЗИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ НАПРЯЖЕНИЯ УДЕРЖАНИЯ ЗАЩЕЛКИ В КМОП ЦИФРОВЫХ ИС // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 57-59
  3. труды конференции РИНЦ МОДЕЛЬ ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЙ СЕЧЕНИЙ ОРЭ ОТ НЕЙТРОНОВ С УЧЕТОМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАСШТАБИРОВАНИЯ ЦИФРОВЫХ ИС // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 113-114
  4. труды конференции РИНЦ МОДЕЛИ ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЯ СЕЧЕНИЯ ОРЭ В ЭКБ ОТ НЕЙТРОНОВ РАЗЛИЧНОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА: СПЕКТРА ДЕЛЕНИЯ, 14 МэВ, АТМОСФЕРНЫЕ НЕЙТРОНЫ // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 106-107
  5. труды конференции РИНЦ КОМПАКТНАЯ МОДЕЛЬ p-GaN HEMT // Современные проблемы физики и технологий, 2023г. Стр. 185-186
  6. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ХАРАКТЕРИЗАЦИИ И МОДЕЛИРОВАНИЯ СИЛОВЫХ НИТРИД-ГАЛЛИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 78-79
  7. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analytical Physics-Based Modeling of Electron Channel Density in Nanosheet and Nanowire Transistors // IEEE Transactions on Electron Devices, 2023 Q1 doi
  8. Статья
    Web of Science & Scopus
    Compact Modeling of Body Effect for 'Extrinsic' MOSFETs // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2022 - Proceedings, 2022 TOP10 doi
  9. Статья
    Web of Science & Scopus
    Investigation and Simulation of SEL Cross Sections at Different Temperatures // IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022 Q1 doi
  10. Статья
    Web of Science & Scopus
    Long-term Irradiation Effects in p-MNOS Transistor: Experiment Results // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2022 Vol. 12157, Q4 doi
  11. Статья
    Web of Science & Scopus
    A universal approach to FET compact modeling: Case study for MESFETs and OFETs // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2022 Vol. 12157, Q4 doi
  12. Статья
    Web of Science & Scopus
    Accounting for the body effect in the compact modeling of an extrinsic MOSFET drain current in the linear and saturation regimes // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2022 Vol. 12157, Q4 doi
  13. журнал ВАК МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ БОРТОВЫХ СИСТЕМ ОТ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА // Датчики и системы, 2021г. Вып. 5 Стр. 62-64 doi
  14. журнал ВАК ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ МНОП-ТРАНЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА К ДОЗЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ // Датчики и системы, 2021г. Вып. 5 Стр. 59-61 doi
  15. журнал ВАК Проявление эффекта низкой интенсивности в МНОП-структуре // Наноиндустрия, 2021г. Т. 14, Вып. S7 Стр. 924-925 doi
  16. журнал РИНЦ ИСПЫТАНИЯ ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ // Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛАПЛАЗ-2021, 2021г. Стр. 462-463
  17. Статья
    Web of Science & Scopus
    An Accurate Analytical Modeling of Contact Resistances in MOSFETs // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2021 Vol. 2021-September, Нет pp. 97-99 doi

Показаны конференции за последние 3 года

  1. Сентябрь 2021 ICMNE 2021 Тема доклада: A universal approach to FET compact modeling: Case study for MESFETs and OFETs
  2. Май 2021 ICREED 2021 Тема доклада: invited report: Single Event Concepts and Characterization
  3. Сентябрь 2021 MIEL, 2021 Тема доклада: An Accurate Analytical Modeling of Contact Resistances in MOSFETs
  4. Сентябрь 2021 RADECS 2021 Тема доклада: Investigation and Simulation of SEL Cross Sections at Different Temperatures

Повышение квалификации

27 января 2021 — 5 февраля 2021 Разработка электронного учебного контента (12 часов) НИЯУ МИФИ, Москва

Членство в редколлегиях научных журналов

с июля 2019 IOP Conference Series: Materials Science and Engineering(Серия конференций IOP: материаловедение и инженерия)
нояб. 2015 — июня 2017 IOP Conference Series: Materials Science and Engineering(Серия конференций IOP: материаловедение и инженерия)

Участие в работе диссертационных советов

Член совета МИФИ.2.01

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»