Зебрев Геннадий Иванович

Показаны публикации за последние 3 года

1. Статья
   Web of Science & Scopus
   Accounting for Carrier Mobility Reduction due to the Normal Field in the Saturation Current Modeling of Extrinsic MOSFETs // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. Suppl 1, Q4 pp. S6-S13 doi
2. труды конференции РИНЦ ФИЗИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ НАПРЯЖЕНИЯ УДЕРЖАНИЯ ЗАЩЕЛКИ В КМОП ЦИФРОВЫХ ИС // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 57-59
3. труды конференции РИНЦ МОДЕЛЬ ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЙ СЕЧЕНИЙ ОРЭ ОТ НЕЙТРОНОВ С УЧЕТОМ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МАСШТАБИРОВАНИЯ ЦИФРОВЫХ ИС // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 113-114
4. труды конференции РИНЦ МОДЕЛИ ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЯ СЕЧЕНИЯ ОРЭ В ЭКБ ОТ НЕЙТРОНОВ РАЗЛИЧНОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА: СПЕКТРА ДЕЛЕНИЯ, 14 МэВ, АТМОСФЕРНЫЕ НЕЙТРОНЫ // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 106-107
5. труды конференции РИНЦ КОМПАКТНАЯ МОДЕЛЬ p-GaN HEMT // Современные проблемы физики и технологий, 2023г. Стр. 185-186
6. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ХАРАКТЕРИЗАЦИИ И МОДЕЛИРОВАНИЯ СИЛОВЫХ НИТРИД-ГАЛЛИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 78-79
7. Статья
   Web of Science & Scopus
   Analytical Physics-Based Modeling of Electron Channel Density in Nanosheet and Nanowire Transistors // IEEE Transactions on Electron Devices, 2023 Q1 doi
8. Статья
   Web of Science & Scopus
   Compact Modeling of Body Effect for 'Extrinsic' MOSFETs // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2022 - Proceedings, 2022 TOP10 doi
9. Статья
   Web of Science & Scopus
   Investigation and Simulation of SEL Cross Sections at Different Temperatures // IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022 Q1 doi
10. Статья
    Web of Science & Scopus
    Long-term Irradiation Effects in p-MNOS Transistor: Experiment Results // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2022 Vol. 12157, Q4 doi
11. Статья
    Web of Science & Scopus
    A universal approach to FET compact modeling: Case study for MESFETs and OFETs // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2022 Vol. 12157, Q4 doi
12. Статья
    Web of Science & Scopus
    Accounting for the body effect in the compact modeling of an extrinsic MOSFET drain current in the linear and saturation regimes // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2022 Vol. 12157, Q4 doi
13. журнал ВАК МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ СБОЕВ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ БОРТОВЫХ СИСТЕМ ОТ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА // Датчики и системы, 2021г. Вып. 5 Стр. 62-64 doi
14. журнал ВАК ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ МНОП-ТРАНЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА К ДОЗЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НИЗКОЙ ИНТЕНСИВНОСТИ // Датчики и системы, 2021г. Вып. 5 Стр. 59-61 doi
15. журнал ВАК Проявление эффекта низкой интенсивности в МНОП-структуре // Наноиндустрия, 2021г. Т. 14, Вып. S7 Стр. 924-925 doi
16. журнал РИНЦ ИСПЫТАНИЯ ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ // Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛАПЛАЗ-2021, 2021г. Стр. 462-463
17. Статья
    Web of Science & Scopus
    An Accurate Analytical Modeling of Contact Resistances in MOSFETs // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2021 Vol. 2021-September, Нет pp. 97-99 doi

Показаны конференции за последние 3 года