Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Согоян А.В.
Согоян А.В.

Согоян Армен Вагоевич

Ученая степень: кандидат технических наук
Ученое звание: доцент

Доцент

Кафедра электроники (№3) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Ведущий научный сотрудник

Центр экстремальной прикладной электроники института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Ведущий научный сотрудник

Кафедра физики твердого тела и наносистем (№70) института лазерных и плазменных технологий НИЯУ МИФИ
Написать сообщение Осень 2024. Расписание

Владение языками

английский
Работает в МИФИ с 1994 года
Научно-педагогический стаж: 31 год

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский инженерно-физический институт. 1992. Специальность «Электроника и автоматика физических установок». Kвалификация «инженер-физик»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2021. Специальность «Разработка электронного учебного контента».

Преподаваемые дисциплины

1. Физика полупроводниковых приборов и цифровых устройств
2. Электронные датчики
3. Электротехника, электроника и схемотехника (электроника)

Публикационная активность

8
Индекс Хирша (Web of Science)
11
Индекс Хирша (Scopus)
14
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. Статья
    Издание МИФИ
    ОСОБЕННОСТИ ОЦЕНКИ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ИОНОВ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ // Безопасность информационных технологий, 2024г. Т. 31, Вып. 3 Стр. 148-156 doi
  2. журнал ВАК МОДЕЛИРОВАНИЕ СБОЕВ В ИС ПРИ ИМПУЛЬСНОМ НЕЙТРОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ. ЧАСТЬ 2. ОДИНОЧНЫЕ РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 2022г. Вып. 4 Стр. 24-30
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    Limitations of Methods for Evaluating the Hardness of Microelectronic Devices to Single Event Effects on Ion Accelerators // Russian Microelectronics, 2022 Vol. 51, No. 1, Q4 pp. 16-23 doi
  4. журнал ВАК ГАРАНТИРУЮЩЕЕ ОЦЕНИВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ ПЕРЕХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 2021г. Вып. 2 Стр. 5-15
  5. журнал РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ УГЛОВОЙ ЗАВИСИМОСТИ СЕЧЕНИЯ ОС В КМОП СБИС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ПРОТОНОВ // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2021, 2021г. Стр. 159-160
  6. журнал РИНЦ Особенности задания и оценки соответствия ИС требованиям к стойкости к воздействию ТЗЧ по одиночным радиационным эффектам // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2021, 2021г. Стр. 157-158
  7. Статья
    Издание МИФИ
    ОСОБЕННОСТИ ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К НЕЙТРОННОМУ ВОЗДЕЙСТВИЮ // Безопасность информационных технологий, 2021г. Т. Т. 28, Вып. N 2 Стр. 34-43 doi
  8. Статья Гарантирующее оценивание радиационной переходной характеристики изделий электронной компонентной базы // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 2021г. Т. 2 Стр. 5-15

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

8 декабря 2020 — 19 февраля 2021 Разработка электронного учебного контента (72 часа) НИЯУ МИФИ

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»