Гусев А.С.

Гусев Александр Сергеевич

Ученая степень: кандидат физико-математических наук
Ученое звание: доцент

Доцент

Кафедра физики конденсированных сред (№67) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Заместитель директора

Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Старший научный сотрудник

Лаборатория "технологии проектирования нитридгаллиевой экб функциональных систем" центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
  • 44a-15
  • 8438
Написать сообщение Осень 2025. Расписание

Владение языками

английский
Работает в МИФИ с 2010 года
Научно-педагогический стаж: 21 год

О себе

В 2000 г. с отличием окончил Северо-Кавказский государственный технический университет (ныне Северо-Кавказский федеральный университет, г. Ставрополь) по специальности «Материалы и компоненты твердотельной электроники». В 2003 г. окончил аспирантуру того же вуза и защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния». С 2003 по 2008 г. работал в должности ассистента, затем доцента кафедры Электроники и микроэлектроники СевКавГТУ. С 2008 по 2009 г. работал во ФГУП НИФХИ им. Л.Я. Карпова (г. Москва) в должности старшего научного сотрудника, советника генерального директора по науке. С 2010 г. являюсь сотрудником МИФИ. В 2024 г. присвоено ученое звание доцента по научной специальности 2.2.2.

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Северо-Кавказский государственный технический университет. 2000. Специальность «материалы и компоненты твердотельной электроники». Kвалификация «инженер»

Преподаваемые дисциплины

1. Лабораторный практикум по фотонике
2. Основы вакуумной и плазменной электроники
3. Спецпрактикум по физике и технологии наногетероструктурной электроники
4. Физика и технология приборов микро- и наноэлектроники
5. Физика полупроводников
6. Экспериментальная учебно-исследовательская работа

Публикационная активность

3
Индекс Хирша (Web of Science)
5
Индекс Хирша (Scopus)
5
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. труды конференции РИНЦ Пассивные компоненты для СВЧ монолитных интегральных схем на основе гетероэпитаксиальных структур нитридов III группы // Микро-, Опто- и СВЧ-электроника - 2025, 2025г. Стр. 14-17
  2. журнал ВАК Разработка коррелятора для измерения автокорреляционной функции второго порядка источников одиночных фотонов // Микроэлектроника, 2025г. Т. 54, Вып. 4 Стр. 273-280 doi
  3. Статья
    Издание МИФИ
    Тонкая настройка условий фосфонатного синтеза перовскитных нанокристаллов CsPbBr<sub>3</sub> с улучшенной стабильностью для их применений в области квантовых технологий // Ядерная физика и инжиниринг, 2025г. Т. 16, Вып. 5 Стр. 734-739 doi
  4. труды конференции РИНЦ ОДИНОЧНЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ NV ЦЕНТРЫ В АЛМАЗЕ // Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2025, 2025г. Стр. 89
  5. Статья
    Web of Science & Scopus
    Development of a Correlator for Measuring the Second-Order Autocorrelation Function of Single Photon Sources // Russian Microelectronics, 2025 Vol. 54, No. 4, Q4 pp. 325-332 doi
  6. журнал ВАК Наносенсор слабых магнитных полей на основе крамерсово-вырожденной спиновой системы <SUP>14</SUP>NV-<SUP>13</SUP>C // Письма в Журнал технической физики, 2025г. Т. 51, Вып. 13 Стр. 7-10
  7. Статья
    Web of Science & Scopus
    Single NV centers in diamond produced by multipulse femtosecond laser irradiation // Diamond and Related Materials, 2025 Vol. 155 doi
  8. Статья
    Web of Science & Scopus
    Fine Tuning Phosphonate Synthesis Yields of CsPbBr3 Perovskite Nanocrystals with Enhanced Stability for Applications in Quantum Technologies // Physics of Atomic Nuclei, 2024 Vol. 87, No. 12 pp. 1940-1944 doi
  9. Статья
    Web of Science & Scopus
    III-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 6 pp. 543-553 doi
  10. журнал ВАК <i>III</i>-нитридные <i>HEMT</i> гетероструктуры с ультратонким барьером <i>AlN:</i> получение и экспериментальное применение // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 6 Стр. 539-552 doi
  11. журнал РИНЦ Оптически детектируемый магнитный резонанс ансамблей NV-центров в CVD-алмазе с различным содержанием изотопа <sup>13</sup>С // Журнал прикладной спектроскопии, 2024г. Т. 91, Вып. 5 Стр. 658-666
  12. Статья
    Web of Science & Scopus
    Optically Detectable Magnetic Resonance of NV-Center Ensembles in CVD Diamond with Different 13C Contents // Journal of Applied Spectroscopy, 2024 Q4 doi
  13. журнал ВАК АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ALN/GaN НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С УЛЬТРАТОНКИМ AlN БАРЬЕРОМ // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 3 Стр. 265-273 doi
  14. журнал ВАК Исследование энергетических уровней крамерсово-вырожденной системы <sup>14</sup>NV-<sup>13</sup>c в магнитном и электрическом поле // Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, 2024г. Т. 13, Вып. 4 Стр. 204-210 doi
  15. труды конференции РИНЦ РОСТ ОТДЕЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРАФЕНА НА МЕДНОМ КАТАЛИЗАТОРЕ МЕТОДОМ CVD // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 161-162
  16. труды конференции РИНЦ ПОЛУЧЕНИЕ ОДИНОЧНЫХ NV-ЦЕНТРОВ В CVD АЛМАЗЕ МЕТОДОМ ОБЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 159-160
  17. труды конференции РИНЦ ОДМР АНСАМБЛЕЙ NV-ЦЕНТРОВ В CVD-АЛМАЗЕ С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ ИЗОТОПА 13С // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 165-166
  18. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 3, Q4 pp. 252-259 doi
  19. Статья
    Web of Science & Scopus
    Investigation of Isotopic Composition and Purity of 13C-Enriched CVD-Diamond Layers by Raman Spectroscopy and Photoluminescence // Journal of Applied Spectroscopy, 2023 Q4 doi
  20. труды конференции РИНЦ Спиновая система NV-13C в магнитометрии // ФОТОНИКА 2023, 2023г. Стр. 120-120 doi
  21. Статья
    Web of Science & Scopus
    Quantum Memory on 13C–13C Dimers in Diamond with NV Centers: Simulation by Quantum Chemistry Methods // Journal of Applied Spectroscopy, 2023 Vol. 90, No. 5, Q4 pp. 1000-1011 doi
  22. журнал РИНЦ Квантовая память на димерах <sup>13</sup>С-<sup>13</sup>С в алмазе с N<i>V</i>-центрами: моделирование методами квантовой химии // Журнал прикладной спектроскопии, 2023г. Т. 90, Вып. 5 Стр. 709-720
  23. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОКТА ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ HEMT НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ AlGaN/GaN // Современные проблемы физики и технологий, 2023г. Стр. 193-195
  24. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ НАПРЯЖЕНИЙ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЕ ПЛЁНОК ГРАФЕНА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ IN SITU МЕТОДА RHEED // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 116-117
  25. труды конференции РИНЦ ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ III-НИТРИДНЫХ HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР С УЛЬТРАТОНКИМ БАРЬЕРОМ AlN // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 29-30
  26. труды конференции РИНЦ СПИНОВАЯ СИСТЕМА NV-13C В МАГНИТОМЕТРИИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 168-169
  27. труды конференции РИНЦ ЦЕНТРЫ ФОСФОР-ВАКАНСИЯ В ПЛАСТИНАХ ИСКУССТВЕННОГО АЛМАЗА: МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 154-156
  28. журнал РИНЦ Исследование изотопного состава и чистоты алмазных CVD-слоев, обогащенных изотопом <sup>13</sup>С, методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции // Журнал прикладной спектроскопии, 2022г. Т. 89, Вып. 6 Стр. 802-806 doi
  29. Статья
    Web of Science & Scopus
    Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO2/Si Substrate: A Joint Experimental and Theoretical Study // Applied Sciences (Switzerland), 2022 Vol. 12, No. 22, Q2 doi
  30. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ NV-ЦЕНТРОВ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЁНКЕ АЛМАЗА ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В КВАНТОВЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 176-177
  31. труды конференции РИНЦ ПРОСТРАНСТВЕННО КОРРЕЛИРОВАННЫЙ АНАЛИЗ АЛМАЗНЫХ CVD СЛОЕВ С КОМПЛЕКСАМИ NV-13C МЕТОДАМИ РАМАН И ФЛУОРЕСЦЕНТНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 172-173
  32. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SIC/SI // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 66-67
  33. труды конференции РИНЦ ОДМР КОМПЛЕКСА NV - 13C В ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНОМ АЛМАЗНОМ СЛОЕ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 84-85
  34. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ NV ЦЕНТРОВ НА РАЗЛИЧНЫХ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ПЛОСКОСТЯХ АЛМАЗА // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 86-87
  35. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ АЗОТ-ВАКАНСИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ АЛМАЗНОЙ ПЛЕНКЕ МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 62-63

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

2 октября 2023 — 2 ноября 2023 Квантовые вычисления (21 час) Корпоративная академия Росатома
23 сентября 2023 — 12 января 2024 Приоритеты развития электронной промышленности России (72 часа) Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
29 ноября 2021 — 23 декабря 2021 Квантовые оптические технологии коммуникаций (72 часа) Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
26 ноября 2021 — 21 декабря 2021 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
17 ноября 2018 — 20 мая 2019 Развитие управленческих компетенций кадрового резерва национального исследовательского ядерного Университета (72 часа) Корпоративная академия Росатома

Гранты

окт. 2014 — дек. 2016 Разработка кластерной технологии планаризации поверхности диэлектрических материалов (сапфир, кварцевое стекло) для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности Минобрнауки
окт. 2014 — дек. 2016 Разработка технологий получения эпитаксиальных широкозонных гетероструктур для нового поколения СВЧ- и силовых приборов Минобрнауки
мая 2011 — апр. 2013 Разработка технологии промышленного производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния и родственных широкозонных материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники Минобрнауки
мая 2010 — окт. 2012 Создание композиционных керамических мишеней на основе карбида кремния и родственных ему материалов для осуществления процесса вакуумной лазерной абляции Минобрнауки

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»