Гусев А.С.

Гусев Александр Сергеевич

Ученая степень: кандидат физико-математических наук
Ученое звание: доцент

Доцент

Кафедра физики конденсированных сред (№67) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Заместитель директора

Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Старший научный сотрудник

Лаборатория "технологии проектирования нитридгаллиевой экб функциональных систем" центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
  • 44a-15
  • 8438
Написать сообщение Осень 2024. Расписание

Владение языками

английский
Работает в МИФИ с 2010 года
Научно-педагогический стаж: 20 лет

О себе

В 2000 г. с отличием окончил Северо-Кавказский государственный технический университет (ныне Северо-Кавказский федеральный университет, г. Ставрополь) по специальности «Материалы и компоненты твердотельной электроники». В 2003 г. окончил аспирантуру того же вуза и защитил кандидатскую диссертацию на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния». С 2003 по 2008 г. работал в должности ассистента, затем доцента кафедры Электроники и микроэлектроники СевКавГТУ. С 2008 по 2009 г. работал во ФГУП НИФХИ им. Л.Я. Карпова (г. Москва) в должности старшего научного сотрудника, советника генерального директора по науке. С 2010 г. являюсь сотрудником МИФИ.

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Северо-Кавказский государственный технический университет. 2000. Специальность «материалы и компоненты твердотельной электроники». Kвалификация «инженер»

Преподаваемые дисциплины

1. Лабораторный практикум по фотонике
2. Основы вакуумной и плазменной электроники
3. Технология гетероструктурной и СВЧ электроники
4. Физика и технология приборов микро- и наноэлектроники
5. Физика полупроводников
6. Экспериментальная учебно-исследовательская работа

Публикационная активность

3
Индекс Хирша (Web of Science)
5
Индекс Хирша (Scopus)
5
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. журнал РИНЦ Оптически детектируемый магнитный резонанс ансамблей NV-центров в CVD-алмазе с различным содержанием изотопа <sup>13</sup>С // Журнал прикладной спектроскопии, 2024г. Т. 91, Вып. 5 Стр. 658-666
  2. Статья
    Web of Science & Scopus
    Optically Detectable Magnetic Resonance of NV-Center Ensembles in CVD Diamond with Different 13C Contents // Journal of Applied Spectroscopy, 2024 doi
  3. журнал ВАК АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ALN/GaN НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С УЛЬТРАТОНКИМ AlN БАРЬЕРОМ // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 3 Стр. 265-273 doi
  4. журнал ВАК ИССЛЕДОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ КРАМЕРСОВО-ВЫРОЖДЕННОЙ СИСТЕМЫ <sup>14</sup>NV-<sup>13</sup>C В МАГНИТНОМ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ // Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, 2024г. Т. 13, Вып. 4 Стр. 204-210 doi
  5. труды конференции РИНЦ РОСТ ОТДЕЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРАФЕНА НА МЕДНОМ КАТАЛИЗАТОРЕ МЕТОДОМ CVD // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 161-162
  6. труды конференции РИНЦ ПОЛУЧЕНИЕ ОДИНОЧНЫХ NV-ЦЕНТРОВ В CVD АЛМАЗЕ МЕТОДОМ ОБЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 159-160
  7. труды конференции РИНЦ ОДМР АНСАМБЛЕЙ NV-ЦЕНТРОВ В CVD-АЛМАЗЕ С РАЗЛИЧНЫМ СОДЕРЖАНИЕМ ИЗОТОПА 13С // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 165-166
  8. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 3, Q4 pp. 252-259 doi
  9. Статья
    Web of Science & Scopus
    Investigation of Isotopic Composition and Purity of 13C-Enriched CVD-Diamond Layers by Raman Spectroscopy and Photoluminescence // Journal of Applied Spectroscopy, 2023 Q4 doi
  10. труды конференции РИНЦ Спиновая система NV-13C в магнитометрии // ФОТОНИКА 2023, 2023г. Стр. 120-120 doi
  11. Статья
    Web of Science & Scopus
    Quantum Memory on 13C–13C Dimers in Diamond with NV Centers: Simulation by Quantum Chemistry Methods // Journal of Applied Spectroscopy, 2023 Vol. 90, No. 5, Q4 pp. 1000-1011 doi
  12. журнал РИНЦ Квантовая память на димерах <sup>13</sup>С-<sup>13</sup>С в алмазе с N<i>V</i>-центрами: моделирование методами квантовой химии // Журнал прикладной спектроскопии, 2023г. Т. 90, Вып. 5 Стр. 709-720
  13. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОКТА ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ HEMT НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ AlGaN/GaN // Современные проблемы физики и технологий, 2023г. Стр. 193-195
  14. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ НАПРЯЖЕНИЙ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЕ ПЛЁНОК ГРАФЕНА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ IN SITU МЕТОДА RHEED // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 116-117
  15. труды конференции РИНЦ ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ III-НИТРИДНЫХ HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР С УЛЬТРАТОНКИМ БАРЬЕРОМ AlN // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 29-30
  16. труды конференции РИНЦ СПИНОВАЯ СИСТЕМА NV-13C В МАГНИТОМЕТРИИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 168-169
  17. труды конференции РИНЦ ЦЕНТРЫ ФОСФОР-ВАКАНСИЯ В ПЛАСТИНАХ ИСКУССТВЕННОГО АЛМАЗА: МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 154-156
  18. журнал РИНЦ Исследование изотопного состава и чистоты алмазных CVD-слоев, обогащенных изотопом <sup>13</sup>С, методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции // Журнал прикладной спектроскопии, 2022г. Т. 89, Вып. 6 Стр. 802-806 doi
  19. Статья
    Web of Science & Scopus
    Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO2/Si Substrate: A Joint Experimental and Theoretical Study // Applied Sciences (Switzerland), 2022 Vol. 12, No. 22, Q2 doi
  20. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ ОДИНОЧНЫХ NV-ЦЕНТРОВ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЁНКЕ АЛМАЗА ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В КВАНТОВЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 176-177
  21. труды конференции РИНЦ ПРОСТРАНСТВЕННО КОРРЕЛИРОВАННЫЙ АНАЛИЗ АЛМАЗНЫХ CVD СЛОЕВ С КОМПЛЕКСАМИ NV-13C МЕТОДАМИ РАМАН И ФЛУОРЕСЦЕНТНОЙ СПЕКТРОСКОПИИ // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 172-173
  22. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SIC/SI // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 66-67
  23. труды конференции РИНЦ ОДМР КОМПЛЕКСА NV - 13C В ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНОМ АЛМАЗНОМ СЛОЕ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 84-85
  24. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ NV ЦЕНТРОВ НА РАЗЛИЧНЫХ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИХ ПЛОСКОСТЯХ АЛМАЗА // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 86-87
  25. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ АЗОТ-ВАКАНСИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ АЛМАЗНОЙ ПЛЕНКЕ МЕТОДОМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 62-63
  26. Статья
    Web of Science & Scopus
    Effect of graphene domains orientation on quasi van der Waals epitaxy of GaN // Journal of Applied Physics, 2021 Vol. 130, No. 18, Q1 doi
  27. Статья
    Web of Science & Scopus
    Hyperfine interactions in the nv‐13 c quantum registers in diamond grown from the azaadamantane seed // Nanomaterials, 2021 Vol. 11, No. 5, Q1 doi
  28. журнал ВАК Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем // Журнал технической физики, 2021г. Т. 91, Вып. 6 Стр. 988-996 doi
  29. Статья
    Web of Science & Scopus
    Relaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer // Technical Physics, 2021 Q4 doi

Показаны конференции за последние 3 года

  1. Май 2022 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники Тема доклада: Исследование электрофизических параметров гетероструктур 3С-SiC/Si
  2. Май 2022 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники Тема доклада: ОДМР комплекса NV-13C в гомоэпитаксиальном алмазном слое
  3. Май 2022 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники Тема доклада: Исследование особенностей формирования NV центров на различных кристаллографических плоскостях алмаза
  4. Май 2022 13-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники Тема доклада: Формирование центров окраски азот-вакансия в эпитаксиальной алмазной пленке методом низкоэнергетического электронного облучения

Повышение квалификации

2 октября 2023 — 2 ноября 2023 Квантовые вычисления (21 час) Корпоративная академия Росатома
23 сентября 2023 — 12 января 2024 Приоритеты развития электронной промышленности России (72 часа) Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники»
29 ноября 2021 — 23 декабря 2021 Квантовые оптические технологии коммуникаций (72 часа) Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
26 ноября 2021 — 21 декабря 2021 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
17 ноября 2018 — 20 мая 2019 Развитие управленческих компетенций кадрового резерва национального исследовательского ядерного Университета (72 часа) Корпоративная академия Росатома

Гранты

окт. 2014 — дек. 2016 Разработка кластерной технологии планаризации поверхности диэлектрических материалов (сапфир, кварцевое стекло) для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности Минобрнауки
окт. 2014 — дек. 2016 Разработка технологий получения эпитаксиальных широкозонных гетероструктур для нового поколения СВЧ- и силовых приборов Минобрнауки
мая 2011 — апр. 2013 Разработка технологии промышленного производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния и родственных широкозонных материалов на нанопористых подложках кремния для приборов электроники, микро- и наносистемной техники Минобрнауки
мая 2010 — окт. 2012 Создание композиционных керамических мишеней на основе карбида кремния и родственных ему материалов для осуществления процесса вакуумной лазерной абляции Минобрнауки

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»