Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Цунваза Д.
Цунваза Д.

Цунваза Дамир

Инженер

Лаборатория "технологии проектирования нитридгаллиевой экб функциональных систем" центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Ассистент

Кафедра физики конденсированных сред (№67) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Младший научный сотрудник

Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
Написать сообщение Осень 2025. Расписание

Владение языками

английский
казахский
русский
Работает в МИФИ с 2021 года

Образование

Высшее образование — бакалавриат: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" г. Москва. 2021. Направление «Электроника и наноэлектроника». Kвалификация «бакалавр»
Профессиональное обучение: Учебный центр безопасности информации "МАСКОМ". 2022. Основные возможности и дополнительные функции векторного анализа электрических цепей с помощью оборудования rohde&schwarz (модуль №2) ПК №0927935.
Высшее образование — специалитет, магистратура: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" г. Москва. 2023. Направление «Электроника и наноэлектроника». Kвалификация «Магистр»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" г. Москва. 2023. "веб-разработка на основе современных свободных фреймворков" ПП №06390.
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" г. Москва. Специальность «Экономическое мышление инженеров». Экономическое мышление инженеров ПК №106447.

Преподаваемые дисциплины

1. Введение в радиофотонику
2. Системы автоматизированного проектирования электронной компонентной базы (компьютерный практикум)

Публикационная активность

Показаны публикации за последние 3 года

  1. труды конференции РИНЦ Пассивные компоненты для СВЧ монолитных интегральных схем на основе гетероэпитаксиальных структур нитридов III группы // Микро-, Опто- и СВЧ-электроника - 2025, 2025г. Стр. 14-17
  2. Статья
    Web of Science & Scopus
    III-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 6, Q4 pp. 543-553 doi
  3. журнал ВАК <i>III</i>-нитридные <i>HEMT</i> гетероструктуры с ультратонким барьером <i>AlN:</i> получение и экспериментальное применение // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 6 Стр. 539-552 doi
  4. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СОЕДИНЕНИЙ AIIIAs // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 49-50
  5. журнал ВАК Erratum to: Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 µm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 6 pp. 566-566 doi
  6. труды конференции РИНЦ ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОДЕЛЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ СВЧ МИС НА ОСНОВЕ GaAs // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 66-67
  7. Статья
    Web of Science & Scopus
    Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 3, Q4 pp. 160-166 doi
  8. журнал ВАК Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 3 Стр. 200-206 doi

Показаны конференции за последние 3 года

  1. Сентябрь 2025 11-я научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули» в рамках Российского форума "Микроэлектроника 2025" Тема доклада: "Экспериментальное исследование HEMT-транзисторов на основе гетероэпитаксиальных соединений нитридов III группы"
  2. Октябрь 2025 III международная научно-техническая конференция «Микро-, опто- и СВЧ-электроника – 2025» Тема доклада: "Пассивные компоненты для СВЧ монолитных интегральных схем на основе гетероэпитаксиальных структур нитридов III группы"
  3. Сентябрь 2024 10-я Научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули» Тема доклада: Экспериментальное исследование активных и пассивных элементов на основе гетероструктур AIIIBV для СВЧ МИС МШУ X-, Ku-диапазона
  4. Сентябрь 2024 6-ая Школа молодых учёных в рамках Российского форума «Микроэлектроника 2024» Тема доклада: Экспериментальное исследование температурных характеристик элементов на пластине GaAs в СВЧ-диапазоне частот
  5. Май 2024 "МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ" 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники Тема доклада: ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СОЕДИНЕНИЙ AIIIAS
  6. Май 2023 14-Я МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ПРАКТИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ И ТЕХНОЛОГИИ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРНОЙ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКИ "МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ" Тема доклада: ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОДЕЛЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ СВЧ МИС НА ОСНОВЕ GAAS
  7. Октябрь 2023 5-ая Школа молодых учёных в рамках Российского форума «Микроэлектроника 2023» Тема доклада: Разработка модели HEMT на основе гетероэпитаксиальной структуры AlN/GaN для проектирования отечественных гетероструктурных СВЧ МИС
  8. Октябрь 2023 9-я научная конференция «ЭКБ и микроэлектронные модули» Тема доклада: Разработка модели HEMT на основе гетероэпитаксиальной структуры AlN/GaN для проектирования отечественных гетероструктурных СВЧ МИС

Повышение квалификации

8 декабря 2022 — 12 декабря 2022 Основные возможности и дополнительные функции векторного анализа электрических цепей с помощью оборудования Rohde&Schwarz (24 часа) Москва

Профессиональная переподготовка

9 сентября 2022 — 5 декабря 2023 Веб-разработка на основе современных свободных фреймворков (324 часа) Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»