Борисенко Денис Петрович
Старший преподаватель
Кафедра физики конденсированных сред (№67) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
Научный сотрудник
Лаборатория 2d наноматериалов в электронике, фотонике и спинтронике центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
Работает в МИФИ с 2017 года
Научно-педагогический стаж:
4
года
Образование
Высшее образование — специалитет, магистратура: Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. 2017. Специальность «микро- и наноэлектронные технологии и системы». Kвалификация «инженер электронной техники»
Высшее образование — специалитет, магистратура: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" г. Москва. 2020. Направление «Электроника и наноэлектроника». Kвалификация «Магистр»
Высшее образование — подготовка кадров высшей квалификации: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" г. Москва. 2024. Специальность «Электроника, радиотехника и системы связи». Kвалификация «Исследователь. Преподаватель-исследователь».
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" г. Москва. Специальность «Цифровая трансформация университета». Цифровая трансформация университета ПК №062723.
Преподаваемые дисциплины
1.
Введение в современные нанотехнологии / Introduction to Modern Nanotechnology
2.
Введение в специальность
3.
Введение в специальность (современные проблемы фотоники)
4.
Физические методы исследования материалов и структур
5.
Экспериментальные методы физики конденсированного состояния
Публикационная активность
2
Индекс Хирша
(Web of Science)
2
Индекс Хирша
(Scopus)
1
Индекс Хирша
(РИНЦ)
Показаны публикации за последние 3 года
-
Статья
Web of Science & ScopusRaman Spectroscopy of Multilayer Graphene Structures with Various Twist Angles Between Layers // Journal of Applied Spectroscopy, 2025 doi
- журнал ВАК АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ALN/GaN НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С УЛЬТРАТОНКИМ AlN БАРЬЕРОМ // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 3 Стр. 265-273 doi
- труды конференции РИНЦ ПОДГОТОВКА МЕДНОГО КАТАЛИЗАТОРА ДЛЯ РОСТА КАЧЕСТВЕННОГО ГРАФЕНА МЕТОДОМ CVD В РЕАКТОРЕ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО ТИПА // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 163-164
- труды конференции РИНЦ РОСТ ОТДЕЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРАФЕНА НА МЕДНОМ КАТАЛИЗАТОРЕ МЕТОДОМ CVD // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 161-162
-
Статья
Web of Science & ScopusAnalysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 3, Q4 pp. 252-259 doi
- труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ НАПРЯЖЕНИЙ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЕ ПЛЁНОК ГРАФЕНА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ IN SITU МЕТОДА RHEED // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 116-117
Показаны конференции за последние 3 года
Информация о конференциях не найдена
Повышение квалификации
28 октября 2024 — 22 ноября 2024
Создание лабораторной работы в среде Blender 3D
(16 часов)
г. Москва НИЯУ МИФИ
21 октября 2024 — 25 ноября 2024
Автоматизация работы с текстовыми данными и таблицами Excel с помощью языка Python
(16 часов)
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ""
21 октября 2024 — 21 ноября 2024
Цифровая трансформация университета
(16 часов)
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ""
Дополнительное образование
Бакалавр, Микро- и наноэлектронные технологии и системы, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь, GPA 4.0, 2013-2017
Магистр, Электроника и наноэлектроника, Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ, Москва, Россия, GPA 4.53, 2018-2020
Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»