Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Борисенко Д.П.
Борисенко Д.П.

Борисенко Денис Петрович

Старший преподаватель

Кафедра физики конденсированных сред (№67) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Младший научный сотрудник

Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Научный сотрудник

Лаборатория 2d наноматериалов в электронике, фотонике и спинтронике центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
Написать сообщение Осень 2024. Расписание

Владение языками

английский
белорусский
русский
Работает в МИФИ с 2017 года
Научно-педагогический стаж: 3 года

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. 2017. Специальность «микро- и наноэлектронные технологии и системы». Kвалификация «инженер электронной техники»

Преподаваемые дисциплины

1. Введение в современные нанотехнологии / Introduction to Modern Nanotechnology
2. Введение в специальность
3. Экспериментальные методы физики конденсированного состояния

Публикационная активность

2
Индекс Хирша (Web of Science)
2
Индекс Хирша (Scopus)
1
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. труды конференции РИНЦ ПОДГОТОВКА МЕДНОГО КАТАЛИЗАТОРА ДЛЯ РОСТА КАЧЕСТВЕННОГО ГРАФЕНА МЕТОДОМ CVD В РЕАКТОРЕ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО ТИПА // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 163-164
  2. труды конференции РИНЦ РОСТ ОТДЕЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРАФЕНА НА МЕДНОМ КАТАЛИЗАТОРЕ МЕТОДОМ CVD // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 161-162
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 3, Q4 pp. 252-259 doi
  4. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ НАПРЯЖЕНИЙ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЕ ПЛЁНОК ГРАФЕНА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ IN SITU МЕТОДА RHEED // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 116-117
  5. Статья
    Web of Science & Scopus
    Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO2/Si Substrate: A Joint Experimental and Theoretical Study // Applied Sciences (Switzerland), 2022 Vol. 12, No. 22, Q2 doi
  6. Статья Малослойный графен как эффективный буфер для эпитаксии GaN /AlN на подложке SiO2/Si: совместное экспериментальное и теоретическое исследование // Applied Sciences, MDPI, 2022г. Т. 12, Вып. 11516 Стр. 1-17 doi
  7. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SIC/SI // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 66-67
  8. Статья
    Web of Science & Scopus
    Effect of graphene domains orientation on quasi van der Waals epitaxy of GaN // Journal of Applied Physics, 2021 Vol. 130, No. 18, Q1 doi

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

26 ноября 2021 — 21 декабря 2021 Цифровая трансформация университета (16 часов) Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ""

Дополнительное образование

Бакалавр, Микро- и наноэлектронные технологии и системы, Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь, GPA 4.0, 2013-2017

Магистр, Электроника и наноэлектроника, Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ, Москва, Россия, GPA 4.53, 2018-2020

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»