Клочков А.Н.

Клочков Алексей Николаевич

Ученая степень: кандидат физико-математических наук

Доцент

Кафедра физики конденсированных сред (67, ИНТЭЛ КАФ.67)

Ведущий инженер

Научно-исследовательская лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ (Научно-исследовательская лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в э)

Старший научный сотрудник

Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ (Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ)
  • Kорп. 44a 4 этаж каб. 13
  • 9191
Написать сообщение Весна 2024. Расписание

Владение языками

английский
Работает в МИФИ с 2020 года
Научно-педагогический стаж: 14 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: МГУ им. М. Ломоносова. 2009. Специальность «Физики конденсированного состояния вещества». Kвалификация «физик»

Преподаваемые дисциплины

1. Гетероструктурная оптоэлектроника
2. Терагерцовая фотоника
3. Технологические основы фотоники
4. Физика и технология молекулярно- лучевой эпитаксии
5. Физика конденсированного состояния

Публикационная активность

6
Индекс Хирша (Web of Science)
7
Индекс Хирша (Scopus)
8
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. Статья
    Web of Science & Scopus
    Terahertz photoconductive antennas based on silicon-doped GaAs (111)A // International Journal of Modern Physics B, 2023г. Q3 doi
  2. журнал РИНЦ ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ИЗЛУЧАЮЩИЕ И ТОКОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ InGaAs/AlGaAs/GaAs-СТРУКТУР // Прикладная фотоника, 2023г. Т. 10, Вып. 4 Стр. 102-118 doi
  3. труды конференции РИНЦ СВЕРХРЕШЁТКИ InGaAs/GaAs СО ВСТРОЕННЫМИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПОЛЯМИ КАК ИСТОЧНИКИ ТГц ИЗЛУЧЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 96-97
  4. Статья
    Web of Science & Scopus
    Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 3, Q4 pp. 129-134 doi
  5. труды конференции РИНЦ ОБЗОР ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА ДЛЯ ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 178-179
  6. труды конференции РИНЦ ПЛЕНКИ InAs НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ С НИЗКИМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 166-167
  7. труды конференции РИНЦ ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ III-НИТРИДНЫХ HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР С УЛЬТРАТОНКИМ БАРЬЕРОМ AlN // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 29-30
  8. труды конференции РИНЦ THZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN // The 5-th lnternational Conference Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications (ТЕRА-2023), 2023 pp. 134-134 doi
  9. журнал ВАК Морфология поверхности и спектры фотолюминесценции псевдоморфных сверхрешеток InGaAs/GaAs на подложках GaAs (100), (110) и (111)A // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 3 Стр. 167-173 doi
  10. Статья
    Web of Science & Scopus
    Si-Doping of Low-Temperature-Grown GaAs Heterostructures on (100) and (111)A GaAs Substrates // Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2023г. Т. 260, Вып. 2, Q3 doi
  11. Статья
    Web of Science & Scopus
    GaAs Molecular Beam Epitaxy on (110)-Oriented Substrates // Crystals, 2023г. Т. 13, Вып. 1, Q2 doi
  12. Статья
    Web of Science & Scopus
    Effect of a Built-in Electric Field on the Photoluminescence Spectra of Elastically Strained InGaAs/GaAs Superlattices on GaAs (110) and (111)A Substrates // Nanobiotechnology Reports, 2022 Vol. 17 pp. S41-S44 doi
  13. Статья
    Web of Science & Scopus
    Structural Properties of {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattices on GaAs(100) and (111)A Substrates // Nanobiotechnology Reports, 2022г. Т. 17 Стр. S18-S23 doi
  14. журнал ВАК Влияние встроенного пьезоэлектрического поля на спектры фотолюминесценции упруго напряженных сверхрешеток InGaAs/GaAs на подложках GaAs (110) и (111)А // Нано- и микросистемная техника, 2022г. Т. 24, Вып. 6 Стр. 283-287 doi
  15. труды конференции РИНЦ РЕЖИМЫ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ InGaAs/AlGaAs/GaAsСТРУКТУР // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 191-193
  16. труды конференции РИНЦ THz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module grown by MBE and MOCVD // ALT 22, 2022 pp. 213
  17. Статья
    Web of Science & Scopus
    Improving the efficiency of terahertz antennas on topological insulators // 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss, 2022 TOP10 doi
  18. Статья
    Web of Science & Scopus
    THz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module // 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss, 2022 TOP10 doi
  19. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ТОКОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ InGaAs/AlGaAs/GaAs-СТРУКТУР // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 166-167
  20. труды конференции РИНЦ ДВУХФОТОННЫЙ ДИЗАЙН ДЛЯ ТГц КВАНТОВО-КАСКАДНЫХ ЛАЗЕРОВ: ОТ ИДЕИ ДО ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ РЕАЛИЗАЦИИ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 92-93
  21. труды конференции РИНЦ ПЛЕНКИ n-InAs, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА САПФИРЕ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 88-89
  22. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ НЕЙТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 22-23
  23. журнал ВАК Структурные свойства сверхрешеток LTG-GaAs/GaAs : Si на подложках GaAs (100) и (111)А // Нано- и микросистемная техника, 2022г. Т. 24, Вып. 2 Стр. 74-80 doi
  24. Статья
    Web of Science & Scopus
    3.3 THz Quantum Cascade Laser Based on a Three GaAs/AlGaAs Quantum-Well Active Module with an Operating Temperature above 120 K // Semiconductors, 2022 Q4 doi
  25. труды конференции РИНЦ ТГц квантово-каскадные лазеры с испусканием двух фотонов в одном усиливающем модуле, выращенные методами МЛЭ и МОС-гидридной эпитаксии // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА, 2022г. Стр. 1043-1044
  26. Статья
    Web of Science & Scopus
    Comparison of the thermal interdiffusion phenomena in InGaAs/GaAs and InGaAs/AlGaAs strained heterostructures // Surfaces and Interfaces, 2022 Vol. 29, Q1 doi
  27. журнал ВАК Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой >120 K // Физика и техника полупроводников, 2021г. Т. 55, Вып. 11 Стр. 989-994 doi
  28. Статья
    Web of Science & Scopus
    Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 2021 Vol. 133, Q1 doi

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

10 ноября 2023 — 29 ноября 2023 Введение в радиационно-стойкую электронику (16 часов) НИЯУ МИФИ
25 октября 2023 — 30 ноября 2023 Технологии современной компонентной базы СВЧ электроники, оптоэлектроники и радиофотоники (18 часов) НИЯУ МИФИ
9 декабря 2022 — 23 декабря 2022 Принципы построения беспроводных биомедицинских интерфейсов и цифровых сенсорных сетей (72 часа) Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
5 декабря 2022 — 7 декабря 2022 Основные возможности и дополнительные функции осциллографического анализа электрических сигналов с помощью оборудования Rohde&Schwarz (24 часа) Учебный центр безопасности информации МАСКОМ
26 ноября 2021 — 21 декабря 2021 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
5 июля 2021 — 11 июля 2021 Базовые навыки работы (1-й уровень) и безопасность эксплуатации времяпролетного масс-спектрометра вторичных ионов TOF-SIMS-5 (40 часов) г.Москва

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»