Клочков А.Н.

Клочков Алексей Николаевич

Ученая степень: кандидат физико-математических наук

Доцент

Кафедра физики конденсированных сред (№67) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Ведущий инженер

Научно-исследовательская лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Старший научный сотрудник

Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
  • Kорп. 44a 4 этаж каб. 13
  • 9191
Написать сообщение Осень 2024. Расписание

Владение языками

английский
Работает в МИФИ с 2020 года
Научно-педагогический стаж: 15 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский Государственный университет им. М.В. Ломоносова. 2009. Специальность «Физика конденсированного состояния вещества». Kвалификация «физик»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2021. Специальность «Цифровая трансформация университета».

Преподаваемые дисциплины

1. Гетероструктурная оптоэлектроника
2. Интегральная фотоника
3. Радиофотоника
4. Терагерцовая фотоника
5. Технологические основы фотоники
6. Физика и технология молекулярно- лучевой эпитаксии
7. Физика конденсированного состояния
8. Физика полупроводников / Physics of Semiconductors

Публикационная активность

6
Индекс Хирша (Web of Science)
7
Индекс Хирша (Scopus)
8
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. журнал ВАК АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ALN/GaN НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С УЛЬТРАТОНКИМ AlN БАРЬЕРОМ // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 3 Стр. 265-273 doi
  2. Статья
    Web of Science & Scopus
    Generation of THz Radiation by (100), (110), and (111)A-Oriented Multiple Pseudomorphic InGaAs/GaAs Quantum Wells and Photoconductive Antennas // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2024 Vol. 51, No. Suppl 4 pp. S316-S325 doi
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    Plasmonic-Metal Nanostructures-Enhanced Photoconductive Terahertz Emission and Detection // Defect and Diffusion Forum, 2024 Vol. 435 pp. 161-170 doi
  4. труды конференции РИНЦ СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ ТЕРАГЕРЦОВОЙ АНТЕННЫ С ПЛАЗМОННЫМИ ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ НАНОАНТЕННАМИ И НАНОСТЕРЖНЯМИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 37-38
  5. труды конференции РИНЦ ГЕНЕРАЦИЯ ТГЦ-ИЗЛУЧЕНИЯ МНОЖЕСТВЕННЫМИ ПСЕВДОМОРФНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaAs/GaAs С ОРИЕНТАЦИЕЙ (100), (110) И (111)А И ФОТОПРОВОДЯЩИМИ АНТЕННАМИ НА ИХ ОСНОВЕ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 71-72
  6. труды конференции РИНЦ ЗАВИСИМОСТЬ АМПЛИТУДЫ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ ОТ УГЛА ПОВОРОТА ПЛОСКОСТИ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 77-78
  7. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ РОСТА И ПОТОКА МЫШЬЯКА НА СТРУКТУРУ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК InAs НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 135-136
  8. труды конференции РИНЦ ВТОРИЧНО-ИОННАЯ МАСС СПЕКТРОМЕТРИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InGaAlAs // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 137-138
  9. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ СКВИД КВАНТОВЫХ СЕНСОРОВ Nb/AL2O3/Nb С УМЕНЬШЕННОЙ ПАРАЗИТНОЙ ЕМКОСТЬЮ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 157-158
  10. труды конференции РИНЦ СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНИСЦЕНЦИИ ОДНОСТОРОННЕ ЛЕГИРОВАННЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs С РАЗЛИЧНОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 19-20
  11. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 3, Q4 pp. 252-259 doi
  12. Статья
    Web of Science & Scopus
    Terahertz photoconductive antennas based on silicon-doped GaAs (111)A // International Journal of Modern Physics B, 2023г. Q3 doi
  13. журнал РИНЦ ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ИЗЛУЧАЮЩИЕ И ТОКОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ InGaAs/AlGaAs/GaAs-СТРУКТУР // Прикладная фотоника, 2023г. Т. 10, Вып. 4 Стр. 102-118 doi
  14. труды конференции РИНЦ СВЕРХРЕШЁТКИ InGaAs/GaAs СО ВСТРОЕННЫМИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПОЛЯМИ КАК ИСТОЧНИКИ ТГц ИЗЛУЧЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 96-97
  15. Статья
    Web of Science & Scopus
    Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 3, Q4 pp. 129-134 doi
  16. труды конференции РИНЦ ОБЗОР ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА ДЛЯ ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 178-179
  17. труды конференции РИНЦ ПЛЕНКИ InAs НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ С НИЗКИМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 166-167
  18. труды конференции РИНЦ ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ III-НИТРИДНЫХ HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР С УЛЬТРАТОНКИМ БАРЬЕРОМ AlN // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 29-30
  19. труды конференции РИНЦ THZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN // The 5-th lnternational Conference Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications (ТЕRА-2023), 2023 pp. 134-134 doi
  20. журнал ВАК Морфология поверхности и спектры фотолюминесценции псевдоморфных сверхрешеток InGaAs/GaAs на подложках GaAs (100), (110) и (111)A // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 3 Стр. 167-173 doi
  21. Статья
    Web of Science & Scopus
    Si-Doping of Low-Temperature-Grown GaAs Heterostructures on (100) and (111)A GaAs Substrates // Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2023г. Т. 260, Вып. 2, Q3 doi
  22. Статья
    Web of Science & Scopus
    GaAs Molecular Beam Epitaxy on (110)-Oriented Substrates // Crystals, 2023г. Т. 13, Вып. 1, Q2 doi
  23. Статья
    Web of Science & Scopus
    Effect of a Built-in Electric Field on the Photoluminescence Spectra of Elastically Strained InGaAs/GaAs Superlattices on GaAs (110) and (111)A Substrates // Nanobiotechnology Reports, 2022 Vol. 17 pp. S41-S44 doi
  24. Статья
    Web of Science & Scopus
    Structural Properties of {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattices on GaAs(100) and (111)A Substrates // Nanobiotechnology Reports, 2022г. Т. 17 Стр. S18-S23 doi
  25. журнал ВАК Влияние встроенного пьезоэлектрического поля на спектры фотолюминесценции упруго напряженных сверхрешеток InGaAs/GaAs на подложках GaAs (110) и (111)А // Нано- и микросистемная техника, 2022г. Т. 24, Вып. 6 Стр. 283-287 doi
  26. труды конференции РИНЦ РЕЖИМЫ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ InGaAs/AlGaAs/GaAsСТРУКТУР // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 191-193
  27. труды конференции РИНЦ THz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module grown by MBE and MOCVD // ALT 22, 2022 pp. 213
  28. Статья
    Web of Science & Scopus
    Improving the efficiency of terahertz antennas on topological insulators // 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss, 2022 TOP10 doi
  29. Статья
    Web of Science & Scopus
    THz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module // 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss, 2022 TOP10 doi
  30. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ТОКОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ InGaAs/AlGaAs/GaAs-СТРУКТУР // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 166-167
  31. труды конференции РИНЦ ДВУХФОТОННЫЙ ДИЗАЙН ДЛЯ ТГц КВАНТОВО-КАСКАДНЫХ ЛАЗЕРОВ: ОТ ИДЕИ ДО ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ РЕАЛИЗАЦИИ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 92-93
  32. труды конференции РИНЦ ПЛЕНКИ n-InAs, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА САПФИРЕ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 88-89
  33. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ НЕЙТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 22-23
  34. журнал ВАК Структурные свойства сверхрешеток LTG-GaAs/GaAs : Si на подложках GaAs (100) и (111)А // Нано- и микросистемная техника, 2022г. Т. 24, Вып. 2 Стр. 74-80 doi
  35. Статья
    Web of Science & Scopus
    3.3 THz Quantum Cascade Laser Based on a Three GaAs/AlGaAs Quantum-Well Active Module with an Operating Temperature above 120 K // Semiconductors, 2022 Q4 doi
  36. труды конференции РИНЦ ТГц квантово-каскадные лазеры с испусканием двух фотонов в одном усиливающем модуле, выращенные методами МЛЭ и МОС-гидридной эпитаксии // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА, 2022г. Стр. 1043-1044
  37. Статья
    Web of Science & Scopus
    Comparison of the thermal interdiffusion phenomena in InGaAs/GaAs and InGaAs/AlGaAs strained heterostructures // Surfaces and Interfaces, 2022 Vol. 29, Q1 doi
  38. журнал ВАК Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой >120 K // Физика и техника полупроводников, 2021г. Т. 55, Вып. 11 Стр. 989-994 doi
  39. Статья
    Web of Science & Scopus
    Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 2021 Vol. 133, Q1 doi

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

10 ноября 2023 — 29 ноября 2023 Введение в радиационно-стойкую электронику (16 часов) НИЯУ МИФИ
25 октября 2023 — 30 ноября 2023 Технологии современной компонентной базы СВЧ электроники, оптоэлектроники и радиофотоники (18 часов) НИЯУ МИФИ
9 декабря 2022 — 23 декабря 2022 Принципы построения беспроводных биомедицинских интерфейсов и цифровых сенсорных сетей (72 часа) Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
5 декабря 2022 — 7 декабря 2022 Основные возможности и дополнительные функции осциллографического анализа электрических сигналов с помощью оборудования Rohde&Schwarz (24 часа) Учебный центр безопасности информации МАСКОМ
26 ноября 2021 — 21 декабря 2021 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
5 июля 2021 — 11 июля 2021 Базовые навыки работы (1-й уровень) и безопасность эксплуатации времяпролетного масс-спектрометра вторичных ионов TOF-SIMS-5 (40 часов) г.Москва

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»