Клочков Алексей Николаевич

Показаны публикации за последние 3 года

1. журнал ВАК ЭФФЕКТИВНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ (111)А-, (411)А-ОРИЕНТИРОВАННЫХ ПОДЛОЖЕК ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ЭПИТАКСИАЛЬНОМ РОСТЕ ФОТОПРОВОДЯЩИХ СТРУКТУР (In,Ga)As, ПРИМЕНЯЕМЫХ ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ТЕРАГЕРЦЕВЫХ ИМПУЛЬСОВ // Радиотехника и электроника, 2025г. Т. 70, Вып. 8 Стр. 761-779 doi
2. Статья
   Web of Science & Scopus
   Real-Time Technique for Semiconductor Material Parameter Measurement Under Continuous Neutron Irradiation with High Integral Fluence // Electronics (Switzerland), 2025 Vol. 14, No. 19 doi
3. труды конференции РИНЦ Зависимость амплитуды терагерцового излучения полупроводниковых пленок на основе арсенида Индия от угла поворота плоскости поляризации лазерной накачки // Современные проблемы физики и технологий, 2025г. Стр. 271-273
4. труды конференции РИНЦ СПЕКТРОСКОПИЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ОДНОСТОРОННЕ-ЛЕГИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaAs/AlGaAs С РАЗЛИЧНОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ // Современные проблемы физики и технологий, 2025г. Стр. 282-284
5. труды конференции РИНЦ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПЛАЗМОННЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ МОЩНОСТИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ АНТЕННЫ // Современные проблемы физики и технологий, 2025г. Стр. 269-271
6. журнал ВАК Генерация терагерцового излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/InAlAs с ориентациями (100) и (111)А // Оптика и спектроскопия, 2025г. Т. 133, Вып. 3 Стр. 221-231 doi
7. журнал ВАК ИССЛЕДОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР С МНОЖЕСТВЕННЫМИ ПСЕВДОМОРФНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ In<sub>х</sub>Ga<sub>1-</sub><sub>x</sub>As/GaAs НА ПОДЛОЖКАХ GaAs (100), (110) И (111)<i>А</i&gt // Кристаллография, 2025г. Т. 70, Вып. 1 Стр. 133-140 doi
8. Статья
   Web of Science & Scopus
   Crystal Structure Analysis of Epitaxial Nanoheterostructures with Multiple Pseudomorphic Quantum Wells {InхGaAs/GaAs} on GaAs (100), (110), and (111)А Substrates // Crystallography Reports, 2025 Vol. 70, No. 1, Q4 pp. 122-128 doi
9. журнал ВАК Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе // Квантовая электроника, 2024г. Т. 54, Вып. 1 Стр. 43-50
10. труды конференции РИНЦ ДИАГНОСТИКА ИЗМЕНЕНИЙ СОСТАВА ПОВЕРХНОСТИ ВОЛЬФРАМА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ «ПЛАЗМЕННОГО ФОКУСА» В СРЕДЕ ДЕЙТЕРИЯ НА УСТАНОВКЕ ПФМ72-М МЕТОДОМ ВИМС // Современные методы диагностики плазмы и их применение, 2024г. Стр. 141-144
11. журнал ВАК АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ALN/GaN НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С УЛЬТРАТОНКИМ AlN БАРЬЕРОМ // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 3 Стр. 265-273 doi
12. Статья
    Web of Science & Scopus
    Generation of THz Radiation by (100), (110), and (111)A-Oriented Multiple Pseudomorphic InGaAs/GaAs Quantum Wells and Photoconductive Antennas // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2024 Vol. 51, No. Suppl 4, Q4 pp. S316-S325 doi
13. Статья
    Web of Science & Scopus
    Plasmonic-Metal Nanostructures-Enhanced Photoconductive Terahertz Emission and Detection // Defect and Diffusion Forum, 2024 Vol. 435, Q3 pp. 161-170 doi
14. труды конференции РИНЦ СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ ТЕРАГЕРЦОВОЙ АНТЕННЫ С ПЛАЗМОННЫМИ ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ НАНОАНТЕННАМИ И НАНОСТЕРЖНЯМИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 37-38
15. труды конференции РИНЦ ГЕНЕРАЦИЯ ТГЦ-ИЗЛУЧЕНИЯ МНОЖЕСТВЕННЫМИ ПСЕВДОМОРФНЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ InGaAs/GaAs С ОРИЕНТАЦИЕЙ (100), (110) И (111)А И ФОТОПРОВОДЯЩИМИ АНТЕННАМИ НА ИХ ОСНОВЕ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 71-72
16. труды конференции РИНЦ ЗАВИСИМОСТЬ АМПЛИТУДЫ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ ОТ УГЛА ПОВОРОТА ПЛОСКОСТИ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 77-78
17. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ РОСТА И ПОТОКА МЫШЬЯКА НА СТРУКТУРУ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК InAs НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 135-136
18. труды конференции РИНЦ ВТОРИЧНО-ИОННАЯ МАСС СПЕКТРОМЕТРИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InGaAlAs // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 137-138
19. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ СКВИД КВАНТОВЫХ СЕНСОРОВ Nb/AL2O3/Nb С УМЕНЬШЕННОЙ ПАРАЗИТНОЙ ЕМКОСТЬЮ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 157-158
20. труды конференции РИНЦ СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНИСЦЕНЦИИ ОДНОСТОРОННЕ ЛЕГИРОВАННЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs С РАЗЛИЧНОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 19-20
21. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 3, Q4 pp. 252-259 doi
22. Статья
    Web of Science & Scopus
    Terahertz photoconductive antennas based on silicon-doped GaAs (111)A // International Journal of Modern Physics B, 2023г. Q3 doi
23. журнал РИНЦ ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ИЗЛУЧАЮЩИЕ И ТОКОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ InGaAs/AlGaAs/GaAs-СТРУКТУР // Прикладная фотоника, 2023г. Т. 10, Вып. 4 Стр. 102-118 doi
24. труды конференции РИНЦ СВЕРХРЕШЁТКИ InGaAs/GaAs СО ВСТРОЕННЫМИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ ПОЛЯМИ КАК ИСТОЧНИКИ ТГц ИЗЛУЧЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 96-97
25. Статья
    Web of Science & Scopus
    Surface Morphology and Photoluminescence Spectra of Pseudomorphic {InGaAs/GaAs} Superlattices on GaAs (100), (110), and (111)A Substrates // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 3, Q4 pp. 129-134 doi
26. труды конференции РИНЦ ОБЗОР ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА ДЛЯ ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 178-179
27. труды конференции РИНЦ ПЛЕНКИ InAs НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ С НИЗКИМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 166-167
28. труды конференции РИНЦ ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ III-НИТРИДНЫХ HEMT ГЕТЕРОСТРУКТУР С УЛЬТРАТОНКИМ БАРЬЕРОМ AlN // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 29-30
29. труды конференции РИНЦ THZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN // The 5-th lnternational Conference Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications (ТЕRА-2023), 2023 pp. 134-134 doi
30. журнал ВАК Морфология поверхности и спектры фотолюминесценции псевдоморфных сверхрешеток InGaAs/GaAs на подложках GaAs (100), (110) и (111)A // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 3 Стр. 167-173 doi
31. Статья
    Web of Science & Scopus
    Si-Doping of Low-Temperature-Grown GaAs Heterostructures on (100) and (111)A GaAs Substrates // Physica Status Solidi (B) Basic Research, 2023г. Т. 260, Вып. 2, Q3 doi
32. Статья
    Web of Science & Scopus
    GaAs Molecular Beam Epitaxy on (110)-Oriented Substrates // Crystals, 2023г. Т. 13, Вып. 1, Q2 doi

Показаны конференции за последние 3 года