Мармалюк Александр Анатольевич

Показаны публикации за последние 3 года

1. журнал ВАК Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4-5 мкм // Квантовая электроника, 2023г. Т. 53, Вып. 8 Стр. 641-644
2. журнал ВАК Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 - 1.6 мкм // Квантовая электроника, 2023г. Т. 53, Вып. 7 Стр. 561-564
3. Статья
   Web of Science & Scopus
   Metal–Dielectric Mirror Coatings for 4–5-μm Quantum-Cascade Lasers // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2023г. Т. 50, Вып. Suppl 12 Стр. S1356-S1360 doi
4. Статья
   Web of Science & Scopus
   New Highly Reliable Optical Transmitting Modules Based on High-Power Superluminescent Diodes in the Spectral Range of 1.5–1.6 μm // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2023 Vol. 50, No. Suppl 11 pp. S1246-S1251 doi
5. журнал ВАК Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 - 5 мкм // Квантовая электроника, 2023г. Т. 53, Вып. 5 Стр. 370-373
6. Статья
   Web of Science & Scopus
   Dielectric Highly Reflective Mirror Coatings for 4–5 μm Quantum Cascade Lasers // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2023 Vol. 50, Q4 pp. S1079-S1083 doi
7. Статья
   Web of Science & Scopus
   Compact superluminescent AlGaInAs/InP strain-compensated quantum-well diodes for fibre-optic gyroscopes // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 6, Q3 pp. 577-579 doi
8. журнал ВАК Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940-980 нм) с расширенным асимметричным волноводом // Квантовая электроника, 2022г. Т. 52, Вып. 2 Стр. 179-181
9. Статья
   Web of Science & Scopus
   Improvement of the current - Voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ( λ = 940 - 980 nm) // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 2, Q3 pp. 179-181 doi
10. журнал ВАК Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450-1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов // Квантовая электроника, 2021г. Т. 51, Вып. 4 Стр. 283-286
11. журнал ВАК Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9-2.0 мкм со сверхузким волноводом // Квантовая электроника, 2021г. Т. 51, Вып. 10 Стр. 909-911
12. журнал ВАК Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 - 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом // Квантовая электроника, 2021г. Т. 50, Вып. 2 Стр. 133-136
13. Статья
    Web of Science & Scopus
    High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9-2.0 μm // Quantum Electronics, 2021г. Т. 51, Вып. 10, Q3 Стр. 909-911 doi
14. Статья
    Web of Science & Scopus
    InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ = 900-920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current-voltage characteristics // Quantum Electronics, 2021г. Т. 51, Вып. 10, Q3 Стр. 905-908 doi
15. Статья
    Web of Science & Scopus
    Comparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (l = 1450 - 1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides // Quantum Electronics, 2021 Vol. 51, No. 4, Q3 pp. 283-286 doi
16. Статья
    Web of Science & Scopus
    Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (l = 1450 - 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide // Quantum Electronics, 2021г. Т. 51, Вып. 2, Q3 Стр. 133-136 doi

Показаны конференции за последние 3 года

1. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: Гетероструктуры для полупроводниковых излучателей с улучшенными характеристиками
2. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: Гетероструктуры GaInAs/AlInAs для электрооптических модуляторов на основе квантово-размерного эффекта Штарка
3. Ноябрь 2021 VIII МЕЖДУНАРОДНЫЙ СИМПОЗИУМ ПО КОГЕРЕНТНОМУ ОПТИЧЕСКОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ И СТРУКТУР