Мармалюк А.А.

Мармалюк Александр Анатольевич

Ученая степень: доктор технических наук
Ученое звание: профессор

Профессор

Кафедра полупроводниковой квантовой электроники и биофотоники (№88) инженерно-физического института биомедицины НИЯУ МИФИ
Работает в МИФИ с 2014 года
Научно-педагогический стаж: 10 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский Государственный университет им. М.В. Ломоносова. 1994. Специальность «Физика и технология материалов и компонентов электронной техники». Kвалификация «инженер электронной техники»

Преподаваемые дисциплины

1. Технология роста гетероструктур

Публикационная активность

11
Индекс Хирша (Web of Science)
12
Индекс Хирша (Scopus)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. журнал ВАК Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4-5 мкм // Квантовая электроника, 2023г. Т. 53, Вып. 8 Стр. 641-644
  2. журнал ВАК Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 - 1.6 мкм // Квантовая электроника, 2023г. Т. 53, Вып. 7 Стр. 561-564
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    Metal–Dielectric Mirror Coatings for 4–5-μm Quantum-Cascade Lasers // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2023г. Т. 50, Вып. Suppl 12, Q4 Стр. S1356-S1360 doi
  4. Статья
    Web of Science & Scopus
    New Highly Reliable Optical Transmitting Modules Based on High-Power Superluminescent Diodes in the Spectral Range of 1.5–1.6 μm // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2023 Vol. 50, No. Suppl 11, Q4 pp. S1246-S1251 doi
  5. журнал ВАК Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 - 5 мкм // Квантовая электроника, 2023г. Т. 53, Вып. 5 Стр. 370-373
  6. Статья
    Web of Science & Scopus
    Dielectric Highly Reflective Mirror Coatings for 4–5 μm Quantum Cascade Lasers // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2023 Vol. 50, Q4 pp. S1079-S1083 doi
  7. Статья
    Web of Science & Scopus
    Compact superluminescent AlGaInAs/InP strain-compensated quantum-well diodes for fibre-optic gyroscopes // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 6, Q3 pp. 577-579 doi
  8. журнал ВАК Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940-980 нм) с расширенным асимметричным волноводом // Квантовая электроника, 2022г. Т. 52, Вып. 2 Стр. 179-181
  9. Статья
    Web of Science & Scopus
    Improvement of the current - Voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ( λ = 940 - 980 nm) // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 2, Q3 pp. 179-181 doi
  10. журнал ВАК Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450-1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов // Квантовая электроника, 2021г. Т. 51, Вып. 4 Стр. 283-286
  11. журнал ВАК Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9-2.0 мкм со сверхузким волноводом // Квантовая электроника, 2021г. Т. 51, Вып. 10 Стр. 909-911
  12. журнал ВАК Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 - 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом // Квантовая электроника, 2021г. Т. 50, Вып. 2 Стр. 133-136
  13. Статья
    Web of Science & Scopus
    High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9-2.0 μm // Quantum Electronics, 2021г. Т. 51, Вып. 10, Q3 Стр. 909-911 doi
  14. Статья
    Web of Science & Scopus
    InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ = 900-920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current-voltage characteristics // Quantum Electronics, 2021г. Т. 51, Вып. 10, Q3 Стр. 905-908 doi
  15. Статья
    Web of Science & Scopus
    Comparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (l = 1450 - 1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides // Quantum Electronics, 2021 Vol. 51, No. 4, Q3 pp. 283-286 doi
  16. Статья
    Web of Science & Scopus
    Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (l = 1450 - 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide // Quantum Electronics, 2021г. Т. 51, Вып. 2, Q3 Стр. 133-136 doi

Показаны конференции за последние 3 года

  1. Ноябрь 2023 IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур Тема доклада: Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP
  2. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: Гетероструктуры для полупроводниковых излучателей с улучшенными характеристиками
  3. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: Гетероструктуры GaInAs/AlInAs для электрооптических модуляторов на основе квантово-размерного эффекта Штарка
  4. Ноябрь 2021 VIII МЕЖДУНАРОДНЫЙ СИМПОЗИУМ ПО КОГЕРЕНТНОМУ ОПТИЧЕСКОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ И СТРУКТУР

Повышение квалификации

6 декабря 2021 — 20 января 2022 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
8 декабря 2020 — 26 февраля 2021 Независимая оценка квалификации студентов НИЯУ МИФИ (72 часа) ФГАОУ ВО «НИЯУ МИФИ»
28 октября 2019 — 30 октября 2019 Инженерно-физические технологии биомедицины (на английском языке) (18 часов) НИЯУ МИФИ

Членство в редколлегиях научных журналов

с янв. 2010 Квантовая электроника

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»