Елесин В.В.

Елесин Вадим Владимирович

Ученая степень: кандидат технических наук
Ученое звание: старший научный сотрудник (доцент)

Доцент

Кафедра электроники (№3) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Заместитель директора

Центр экстремальной прикладной электроники института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
  • В-319
  • 6922
Написать сообщение Осень 2024. Расписание

Владение языками

английский
Работает в МИФИ с 1998 года
Научно-педагогический стаж: 30 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский инженерно-физический институт. 1987. Специальность «Автоматика и электроника». Kвалификация «инженер-физик»

Преподаваемые дисциплины

1. Интегральные СВЧ системы
2. Научно-исследовательская работа
3. Радиочастотная и СВЧ электроника
4. Физика полупроводниковых приборов и цифровых устройств

Публикационная активность

4
Индекс Хирша (Web of Science)
9
Индекс Хирша (Scopus)
12
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. труды конференции РИНЦ Проблемные вопросы проектирования и верификации микросхемы метки радиочастотной идентификации УВЧ- диапазона // Российский форум «Микроэлектроника 2022», 2022г. Стр. 256-257
  2. журнал РИНЦ СВЧ функциональные блоки приемопередатчиков систем связи 5-го поколения // Электроника и микроэлектроника СВЧ, 2022г. Т. 1 Стр. 99-102
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    The Microwave Test and Measurement System for On-wafer Investigation under Irradiation // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2022 - Proceedings, 2022 TOP10 doi
  4. Статья
    Web of Science & Scopus
    Comparative Analysis of Millimeter-Wave Transceivers for 5G Applications // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2022 - Proceedings, 2022 TOP10 doi
  5. Статья
    Web of Science & Scopus
    Characterization of the Effects of Neutron-Induced Displacement Damage on the SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors // RADECS 2021 - European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, 2021 TOP10 doi
  6. журнал ВАК Возможности и перспективы контрактной разработки и производства на российской полупроводниковой фабрике конкурентоспособной ЭКБ кремниевой СВЧ электроники для систем связи, радиолокации, радиочастотной идентификации, навигации // Наноиндустрия, 2021г. Т. 14, Вып. S7 Стр. 253-255 doi
  7. журнал ВАК Цифровые модели в электронной промышленности: базовые элементы технологических библиотек, сложнофункциональные блоки, изделия ЭКБ // Наноиндустрия, 2021г. Т. 14, Вып. S7 Стр. 281-282 doi
  8. журнал ВАК Радиационно-ориентированная характеризация технологического процесса SiGe БиКМОП 0,42 мкм по тиристорному эффекту // Наноиндустрия, 2021г. Т. 14, Вып. S7 Стр. 291-292 doi
  9. журнал РИНЦ СВЧ-характеристики и показатели радиационной стойкости базового элемента библиотеки отечественного технологического процесса КМОП 90 нм - МОП-транзистора // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 2021г. Вып. 3 Стр. 311-312
  10. журнал РИНЦ SiGe БиКМОП генератор, управляемый напряжением, К-диапазона для радиационно-стойких приемопередатчиков // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 2021г. Вып. 3 Стр. 313-314
  11. Статья
    Web of Science & Scopus
    SiGe BiCMOS Voltage-Controlled Oscillator and Mixer IP-blocks for the Next-Generation Communication Transceivers // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2021 Vol. 2021-September, Нет pp. 239-242 doi
  12. Статья
    Web of Science & Scopus
    Total Ionizing Dose Sensitivity of 180 nm Silicon-on-Insulator Microwave Low-Noise Amplifier // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2021 Vol. 2021-September, Нет pp. 365-368 doi
  13. Статья
    Web of Science & Scopus
    A Practical Approach to Underground UHF Channel Characterization // SIBCON 2021 - International Siberian Conference on Control and Communications, 2021 НЕТ doi
  14. Статья
    Web of Science & Scopus
    Compact Models for Radiation Hardening by Design of SiGe BiCMOS, GaAs and SOI CMOS Microwave Circuits // SIBCON 2021 - International Siberian Conference on Control and Communications, 2021 НЕТ doi
  15. Статья
    Web of Science & Scopus
    SOI CMOS, SiGe BiCMOS, GaAs HBT and GaAs PHEMT Technologies Characterization for Radiation-Tolerant Microwave Applications // SIBCON 2021 - International Siberian Conference on Control and Communications, 2021 НЕТ doi

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

10 октября 2023 — 1 ноября 2023 Проблемы и возможности использования искусственного интеллекта в образовании (16 часов) НИЯУ МИФИ
16 июня 2021 — 18 июня 2021 LabView для измерительных систем и испытательных комплексов. Теоретические основы и типовые практические задачи автоматизации измерений. (24 часа) Москва
30 сентября 2019 — 5 октября 2019 Международный форум Микроэлектроника 2019 (30 часов) Республика Крым г. Алушта

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»