Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Родин А.С.
Родин А.С.

Родин Александр Сергеевич

Ученая степень: кандидат технических наук

Доцент

Кафедра микро- и наноэлектроники (№27) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
Написать сообщение Осень 2024. Расписание

Владение языками

английский
Работает в МИФИ с 2013 года
Научно-педагогический стаж: 5 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: ФГАОУ ВПО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2013. Специальность «Физика атомного ядра и частиц». Kвалификация «инженер-физик»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2023. Специальность «Проблемы и возможности использования искусственного интеллекта в образовании».

Преподаваемые дисциплины

1. Микропроцессорные системы
2. Программно-аппаратное обеспечение персональных компьютеров
3. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы
4. Ядерная физика

Публикационная активность

2
Индекс Хирша (Web of Science)
4
Индекс Хирша (Scopus)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. труды конференции РИНЦ Перспективы внедрения языка system RDL в разработку IP-блоков // Современные проблемы физики и технологий, 2024г. Стр. 178-180
  2. труды конференции РИНЦ МОДЕЛИ ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЯ СЕЧЕНИЯ ОРЭ В ЭКБ ОТ НЕЙТРОНОВ РАЗЛИЧНОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА: СПЕКТРА ДЕЛЕНИЯ, 14 МэВ, АТМОСФЕРНЫЕ НЕЙТРОНЫ // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 106-107
  3. труды конференции РИНЦ УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ДОЗОВЫХ РАДИАЦИОННЫХ ЭФФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ // Радиационная стойкость электронных систем Стойкость-2023, 2023г. Стр. 55-56
  4. журнал ВАК ДВУХПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИМПЕДАНСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ТОКА ДЛЯ СПЕКТРОМЕТРА ИОННОЙ ПОДВИЖНОСТИ // Датчики и системы, 2023г. Вып. 3 Стр. 54-59 doi
  5. журнал ВАК ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МИКРОКОНТРОЛЛЕРОВ К ИОНИЗИРУЮЩЕМУ ИЗЛУЧЕНИЮ // Датчики и системы, 2023г. Вып. 3 Стр. 12-16 doi
  6. труды конференции РИНЦ ОБЗОР ФИЗИЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ ЭФФЕКТА НИЗКОЙ ИНТЕНИСВНОСТИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ БИПОЛЯРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ // Современные проблемы физики и технологий, 2023г. Стр. 176-178
  7. журнал ВАК МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОСТРАДИАЦИОННОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ИМС БИПОЛЯРНОЙ ТЕХНОЛОГИИ // Датчики и системы, 2021г. Вып. 5 Стр. 69-71 doi
  8. Статья
    Web of Science & Scopus
    Technique for Numerical Simulation of Post-irradiation Annealing including Temperature Drift of Electrical Parameters of Devices under Test // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2021 Vol. 2021-September, Нет pp. 369-370 doi
  9. Статья
    Web of Science & Scopus
    Testing for Enhanced Low Dose Rate Sensitivity and Reduced Low Dose Rate Sensitivity Bipolar Devices // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2021 Vol. 2021-September, Нет pp. 361-363 doi

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

19 марта 2021 — 23 марта 2021 «Комплексное сопровождение образовательного процесса обучения инвалидов и лиц с ограниченными возможностями здоровья в организациях высшего образования» (24 часа) НИЯУ МИФИ

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»