Султанов Азрет Оюсович
Ученая степень:
кандидат физико-математических наук
Инженер
Лаборатория «Технологии проектирования нитридгаллиевой ЭКБ функциональных систем» центра радиофотоники и СВЧ-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ (ИНТЭЛ ЦРСТ ТПНФС)
Ассистент
Кафедра физики конденсированных сред (67, ИНТЭЛ КАФ.67)
- 44-111
- 8746
Работает в МИФИ с 2011 года
Образование
Высшее образование — специалитет, магистратура: ГОУ ВПО Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М.Беркетова. 2008. Специальность «Микроэлектроника, полупроводниковые приборы». Kвалификация «физик-микроэлектронщик»
Преподаваемые дисциплины
1.
Введение в современные нанотехнологии / Introduction to Modern Nanotechnology
2.
Введение в специальность
3.
Технологические основы фотоники
4.
Технология материалов электронной техники
5.
Физика и технология молекулярно- лучевой эпитаксии
Публикационная активность
1
Индекс Хирша
(Scopus)
2
Индекс Хирша
(РИНЦ)
Показаны публикации за последние 3 года
- труды конференции РИНЦ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Al2O3 МЕТОДОМ ALD: МОРФОЛОГИЯ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 80-81
- труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SIC/SI // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 66-67
- журнал ВАК Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем // Журнал технической физики, 2021г. Т. 91, Вып. 6 Стр. 988-996 doi
-
Статья
Web of Science & ScopusRelaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer // Technical Physics, 2021 Q4 doi
Показаны конференции за последние 3 года
Информация о конференциях не найдена
Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»