Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Султанов А.О.
Султанов А.О.

Султанов Азрет Оюсович

Ученая степень: кандидат физико-математических наук

Инженер

Лаборатория "технологии проектирования нитридгаллиевой экб функциональных систем" центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Ассистент

Кафедра физики конденсированных сред (№67) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
  • 44-111
  • 8746
Написать сообщение Осень 2025. Расписание
Работает в МИФИ с 2011 года

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: ГОУ ВПО "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М.Бербекова". 2008. Специальность «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы». Kвалификация «физик-микроэлектронщик»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2014. "повышение педагогического мастерства персонала нияу мифи: интернационализация образования (третий уровень обучения)" ПК №010099.

Преподаваемые дисциплины

1. Введение в современные нанотехнологии / Introduction to Modern Nanotechnology
2. Введение в специальность
3. Технологические основы фотоники
4. Технология гетероструктурной СВЧ электроники
5. Физика и технология молекулярно- лучевой эпитаксии
6. Физика и технология приборов микро- и наноэлектроники

Публикационная активность

1
Индекс Хирша (Scopus)
2
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. Статья
    Web of Science & Scopus
    III-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 6 pp. 543-553 doi
  2. журнал ВАК <i>III</i>-нитридные <i>HEMT</i> гетероструктуры с ультратонким барьером <i>AlN:</i> получение и экспериментальное применение // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 6 Стр. 539-552 doi
  3. журнал ВАК АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ALN/GaN НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С УЛЬТРАТОНКИМ AlN БАРЬЕРОМ // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 3 Стр. 265-273 doi
  4. труды конференции РИНЦ СИНТЕЗ ФОТОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 41-42
  5. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 3, Q4 pp. 252-259 doi
  6. труды конференции РИНЦ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Al2O3 МЕТОДОМ ALD: МОРФОЛОГИЯ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 80-81
  7. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SIC/SI // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 66-67

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

30 октября 2024 — 30 января 2025 Развитие цифровых навыков преподавателей и сотрудников университета (16 часов) г. Москва

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»