Васильевский Иван Сергеевич

Показаны публикации за последние 3 года

1. журнал ВАК ЭФФЕКТИВНОСТЬ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ (111)А-, (411)А-ОРИЕНТИРОВАННЫХ ПОДЛОЖЕК ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ЭПИТАКСИАЛЬНОМ РОСТЕ ФОТОПРОВОДЯЩИХ СТРУКТУР (In,Ga)As, ПРИМЕНЯЕМЫХ ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ТЕРАГЕРЦЕВЫХ ИМПУЛЬСОВ // Радиотехника и электроника, 2025г. Т. 70, Вып. 8 Стр. 761-779 doi
2. Статья
   Web of Science & Scopus
   Real-Time Technique for Semiconductor Material Parameter Measurement Under Continuous Neutron Irradiation with High Integral Fluence // Electronics (Switzerland), 2025 Vol. 14, No. 19 doi
3. труды конференции РИНЦ СПЕКТРОСКОПИЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ОДНОСТОРОННЕ-ЛЕГИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР InGaAs/AlGaAs С РАЗЛИЧНОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ // Современные проблемы физики и технологий, 2025г. Стр. 282-284
4. труды конференции РИНЦ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В СТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ ПРИ НАЛИЧИИ МЕХАНИЧЕСКИ НАПРЯЖЕННЫХ НАНОВСТАВОК // Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2025, 2025г. Стр. 179
5. труды конференции РИНЦ Моделирование и оптимизация электрооптического эффекта в модуляторе Маха-Цендера на технологической платформе InP // Материалы XXVII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 2024г. Стр. 224-225 doi
6. труды конференции РИНЦ Магнитотранспортные явления в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 2024г. Стр. 142
7. труды конференции РИНЦ Эффективные масса и g-фактор электронов в квантовой яме InGaAs с высоким содержанием InAs // Нанофизика и наноэлектроника, 2024г. Стр. 812
8. Статья
   Web of Science & Scopus
   Direct epitaxial integration of the ferromagnetic oxide EuO with GaAs // Journal of Alloys and Compounds, 2024 Vol. 1009, TOP10 doi
9. Статья
   Web of Science & Scopus
   Plasmonic-Metal Nanostructures-Enhanced Photoconductive Terahertz Emission and Detection // Defect and Diffusion Forum, 2024 Vol. 435, Q3 pp. 161-170 doi
10. журнал ВАК КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ В ОТСУТСТВИЕ ТОКА ЧЕРЕЗ ОБРАЗЕЦ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ InGaAs/InAlAs // Физика металлов и металловедение, 2024г. Т. 125, Вып. 2 Стр. 153-157 doi
11. труды конференции РИНЦ Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 2024г. Стр. 117-118
12. труды конференции РИНЦ Контактная разность потенциалов в отсутствие тока через образец в режиме квантового эффекта Холла // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 2024г. Стр. 79-80
13. труды конференции РИНЦ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ EuO С GaAs ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ СПИНТРОНИКИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 131-132
14. труды конференции РИНЦ ЗАВИСИМОСТЬ АМПЛИТУДЫ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ ОТ УГЛА ПОВОРОТА ПЛОСКОСТИ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 77-78
15. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СОЕДИНЕНИЙ AIIIAs // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 49-50
16. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ РОСТА И ПОТОКА МЫШЬЯКА НА СТРУКТУРУ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК InAs НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 135-136
17. труды конференции РИНЦ СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ ТЕРАГЕРЦОВОЙ АНТЕННЫ С ПЛАЗМОННЫМИ ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ НАНОАНТЕННАМИ И НАНОСТЕРЖНЯМИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 37-38
18. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ СКВИД КВАНТОВЫХ СЕНСОРОВ Nb/AL2O3/Nb С УМЕНЬШЕННОЙ ПАРАЗИТНОЙ ЕМКОСТЬЮ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 157-158
19. труды конференции РИНЦ РАСЧЕТ И ОПТИМИЗАЦИЯ ТОРЦЕВОГО ВВОДА СВЕТА В ФОТОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ НА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ПЛАТФОРМЕ InP // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 35-36
20. труды конференции РИНЦ ВТОРИЧНО-ИОННАЯ МАСС СПЕКТРОМЕТРИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InGaAlAs // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 137-138
21. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА И АПРОБАЦИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО СТЕНДА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 183-184
22. труды конференции РИНЦ СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНИСЦЕНЦИИ ОДНОСТОРОННЕ ЛЕГИРОВАННЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs С РАЗЛИЧНОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 19-20
23. Статья
    Web of Science & Scopus
    Contact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure // Physics of Metals and Metallography, 2024 Vol. 125, No. 2, Q3 pp. 137-141 doi
24. Статья
    Web of Science & Scopus
    Computational modeling of THz photoconductive antenna with plasmonic gold nanorod // AIP Conference Proceedings, 2023 Vol. 2504, Q4 doi
25. журнал ВАК Erratum to: Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 µm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 6 pp. 566-566 doi
26. труды конференции РИНЦ Температурный и токовый скейлинг в квантовом эффекте Холла в структурах InGaAs/InAlAs // XXIII Всероссийская школа - семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 2023г. Стр. 130
27. труды конференции РИНЦ Циклотронная эффективная масса и g*-фактор электронов в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs // XXIII Всероссийская школа - семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 2023г. Стр. 129
28. труды конференции РИНЦ ПАРАМЕТРЫ ЭЛЕКТРОННОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА В КВАНТУЮЩИХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХС КВАНТОВОЙ ЯМОЙ InGaAs // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника, 2023г. Стр. 55
29. журнал РИНЦ ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ИЗЛУЧАЮЩИЕ И ТОКОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ InGaAs/AlGaAs/GaAs-СТРУКТУР // Прикладная фотоника, 2023г. Т. 10, Вып. 4 Стр. 102-118 doi
30. журнал РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ОДНОМОДОВЫХ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ 950-980 НМ ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН // Прикладная фотоника, 2023г. Т. 10, Вып. 3 Стр. 52-73 doi
31. Статья
    Web of Science & Scopus
    Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 3, Q4 pp. 160-166 doi
32. труды конференции РИНЦ ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОДЕЛЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ СВЧ МИС НА ОСНОВЕ GaAs // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 66-67
33. труды конференции РИНЦ ЭФФЕКТИВНЫЙ g-ФАКТОР В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 19-20
34. труды конференции РИНЦ КРИТИЧЕСКОЕ ПОВЕДЕНИЕ ПРОВОДИМОСТИ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs: КРУПНОМАСШТАБНЫЙ ПРИМЕСНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 15-18
35. труды конференции РИНЦ ОБЗОР ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА ДЛЯ ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 178-179
36. труды конференции РИНЦ ПЛЕНКИ InAs НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ С НИЗКИМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 166-167
37. труды конференции РИНЦ МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОРЕФРАКТИВНОГО ЭФФЕКТА В СТРУКТУРАХ С МНОЖЕСТВОМ КВАНТОВЫХ ЯМ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 47-48
38. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ МОНТАЖА МИС СВЧ С ПОМОЩЬЮ СИСТЕМЫ Au-Sn НА ОСНОВЕ СУБМИКРОННЫХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 82-83
39. труды конференции РИНЦ THZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN // The 5-th lnternational Conference Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications (ТЕRА-2023), 2023 pp. 134-134 doi
40. труды конференции РИНЦ OPTICAL CHARACTERIZATION OF GETE PHASE CHANGE MATERIAL FOR TERAHERTZ APPLICATIONS // The 5-th lnternational Conference Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications (ТЕRА-2023), 2023 pp. 95-95 doi
41. журнал ВАК Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 3 Стр. 200-206 doi
42. Статья
    Web of Science & Scopus
    Modeling the absorption and refraction spectra of multiple quantum well structures // Materials Today: Proceedings, 2023 Vol. 80, Q3 pp. 2620-2624 doi
43. журнал ВАК Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 1 Стр. 58-67 doi
44. Статья
    Web of Science & Scopus
    GeTe2 Phase Change Material for Terahertz Devices with Reconfigurable Functionalities Using Optical Activation // ACS Applied Materials and Interfaces, 2023 TOPMEPHI doi

Показаны конференции за последние 3 года

1. Май 2023 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ- электроники «Мокеровские чтения» Тема доклада: ОБЗОР ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА ДЛЯ ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ