Васильевский Иван Сергеевич

Показаны публикации за последние 3 года

1. труды конференции РИНЦ Эффективные масса и g-фактор электронов в квантовой яме InGaAs с высоким содержанием InAs // Нанофизика и наноэлектроника, 2024г. Стр. 812
2. Статья
   Web of Science & Scopus
   Direct epitaxial integration of the ferromagnetic oxide EuO with GaAs // Journal of Alloys and Compounds, 2024 Vol. 1009 doi
3. Статья
   Web of Science & Scopus
   Plasmonic-Metal Nanostructures-Enhanced Photoconductive Terahertz Emission and Detection // Defect and Diffusion Forum, 2024 Vol. 435 pp. 161-170 doi
4. журнал ВАК КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ В ОТСУТСТВИЕ ТОКА ЧЕРЕЗ ОБРАЗЕЦ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ InGaAs/InAlAs // Физика металлов и металловедение, 2024г. Т. 125, Вып. 2 Стр. 153-157 doi
5. труды конференции РИНЦ Параметры электронного энергетического спектра в квантующих магнитных полях в метаморфных гетероструктурах InGaAs/InAlAs // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 2024г. Стр. 117-118
6. труды конференции РИНЦ Контактная разность потенциалов в отсутствие тока через образец в режиме квантового эффекта Холла // XXV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников, 2024г. Стр. 79-80
7. труды конференции РИНЦ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ EuO С GaAs ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ СПИНТРОНИКИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 131-132
8. труды конференции РИНЦ ЗАВИСИМОСТЬ АМПЛИТУДЫ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ ОТ УГЛА ПОВОРОТА ПЛОСКОСТИ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 77-78
9. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ СОЕДИНЕНИЙ AIIIAs // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 49-50
10. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ РОСТА И ПОТОКА МЫШЬЯКА НА СТРУКТУРУ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК InAs НА ПОДЛОЖКАХ САПФИРА // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 135-136
11. труды конференции РИНЦ СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ ТЕРАГЕРЦОВОЙ АНТЕННЫ С ПЛАЗМОННЫМИ ПРЯМОУГОЛЬНЫМИ НАНОАНТЕННАМИ И НАНОСТЕРЖНЯМИ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 37-38
12. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ СКВИД КВАНТОВЫХ СЕНСОРОВ Nb/AL2O3/Nb С УМЕНЬШЕННОЙ ПАРАЗИТНОЙ ЕМКОСТЬЮ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 157-158
13. труды конференции РИНЦ РАСЧЕТ И ОПТИМИЗАЦИЯ ТОРЦЕВОГО ВВОДА СВЕТА В ФОТОННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ НА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ПЛАТФОРМЕ InP // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 35-36
14. труды конференции РИНЦ ВТОРИЧНО-ИОННАЯ МАСС СПЕКТРОМЕТРИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ InGaAlAs // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 137-138
15. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА И АПРОБАЦИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО СТЕНДА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 183-184
16. труды конференции РИНЦ СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНИСЦЕНЦИИ ОДНОСТОРОННЕ ЛЕГИРОВАННЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs С РАЗЛИЧНОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 19-20
17. Статья
    Web of Science & Scopus
    Contact Potential Difference in the Absence of a Current through a Sample in the Quantum Hall Effect Regime in InGaAs/InAlAs Heterostructure // Physics of Metals and Metallography, 2024 Vol. 125, No. 2, Q3 pp. 137-141 doi
18. Статья
    Web of Science & Scopus
    Computational modeling of THz photoconductive antenna with plasmonic gold nanorod // AIP Conference Proceedings, 2023 Vol. 2504, Q4 doi
19. журнал ВАК Erratum to: Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 µm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 6 pp. 566-566 doi
20. труды конференции РИНЦ Температурный и токовый скейлинг в квантовом эффекте Холла в структурах InGaAs/InAlAs // XXIII Всероссийская школа - семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 2023г. Стр. 130
21. труды конференции РИНЦ Циклотронная эффективная масса и g*-фактор электронов в метаморфных гетероструктурах с квантовой ямой InGaAs // XXIII Всероссийская школа - семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества, 2023г. Стр. 129
22. труды конференции РИНЦ ПАРАМЕТРЫ ЭЛЕКТРОННОГО ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА В КВАНТУЮЩИХ МАГНИТНЫХ ПОЛЯХ В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХС КВАНТОВОЙ ЯМОЙ InGaAs // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника, 2023г. Стр. 55
23. журнал РИНЦ ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ИЗЛУЧАЮЩИЕ И ТОКОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ InGaAs/AlGaAs/GaAs-СТРУКТУР // Прикладная фотоника, 2023г. Т. 10, Вып. 4 Стр. 102-118 doi
24. журнал РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ОДНОМОДОВЫХ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ 950-980 НМ ДИАПАЗОНА ДЛИН ВОЛН // Прикладная фотоника, 2023г. Т. 10, Вып. 3 Стр. 52-73 doi
25. Статья
    Web of Science & Scopus
    Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 3, Q4 pp. 160-166 doi
26. труды конференции РИНЦ ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОДЕЛЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ СВЧ МИС НА ОСНОВЕ GaAs // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 66-67
27. труды конференции РИНЦ ЭФФЕКТИВНЫЙ g-ФАКТОР В МЕТАМОРФНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 19-20
28. труды конференции РИНЦ КРИТИЧЕСКОЕ ПОВЕДЕНИЕ ПРОВОДИМОСТИ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В СТРУКТУРАХ InGaAs/InAlAs: КРУПНОМАСШТАБНЫЙ ПРИМЕСНЫЙ ПОТЕНЦИАЛ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 15-18
29. труды конференции РИНЦ ОБЗОР ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА ДЛЯ ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 178-179
30. труды конференции РИНЦ ПЛЕНКИ InAs НА САПФИРОВОЙ ПОДЛОЖКЕ С НИЗКИМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 166-167
31. труды конференции РИНЦ МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПТИМИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОРЕФРАКТИВНОГО ЭФФЕКТА В СТРУКТУРАХ С МНОЖЕСТВОМ КВАНТОВЫХ ЯМ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 47-48
32. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ МОНТАЖА МИС СВЧ С ПОМОЩЬЮ СИСТЕМЫ Au-Sn НА ОСНОВЕ СУБМИКРОННЫХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 82-83
33. труды конференции РИНЦ THZ QUANTUM CASCADE LASERS WITH TWO-PHOTON DESIGN // The 5-th lnternational Conference Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications (ТЕRА-2023), 2023 pp. 134-134 doi
34. труды конференции РИНЦ OPTICAL CHARACTERIZATION OF GETE PHASE CHANGE MATERIAL FOR TERAHERTZ APPLICATIONS // The 5-th lnternational Conference Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications (ТЕRА-2023), 2023 pp. 95-95 doi
35. журнал ВАК Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 3 Стр. 200-206 doi
36. Статья
    Web of Science & Scopus
    Modeling the absorption and refraction spectra of multiple quantum well structures // Materials Today: Proceedings, 2023 Vol. 80, Q3 pp. 2620-2624 doi
37. журнал ВАК Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 1 Стр. 58-67 doi
38. Статья
    Web of Science & Scopus
    GeTe2 Phase Change Material for Terahertz Devices with Reconfigurable Functionalities Using Optical Activation // ACS Applied Materials and Interfaces, 2023 TOPMEPHI doi
39. труды конференции РИНЦ Новые дизайны лазерных переходов квантово-каскадных структур ТГц диапазона для получения высокой мощности и для работы при повышенных температурах // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА, 2022г. Стр. 1039-1040
40. Статья
    Web of Science & Scopus
    Structural Properties of {LTG-GaAs/GaAs:Si} Superlattices on GaAs(100) and (111)A Substrates // Nanobiotechnology Reports, 2022г. Т. 17 Стр. S18-S23 doi
41. труды конференции РИНЦ THz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module grown by MBE and MOCVD // ALT 22, 2022 pp. 213
42. труды конференции РИНЦ РЕЖИМЫ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ ДЛЯ ДОСТИЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ InGaAs/AlGaAs/GaAsСТРУКТУР // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 191-193
43. труды конференции РИНЦ ПОСТРОЕНИЕ НЕЛИНЕЙНОЙ МОДЕЛИ pHEMT ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ GaAs // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 201-202
44. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРОАБСОРБЦИОННОГО МОДУЛЯТОРА НА ПЛАТФОРМЕ InP // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 157-159
45. Статья
    Web of Science & Scopus
    THz quantum cascade lasers with two-photon emission in the gain module // 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss, 2022 TOP10 doi
46. Статья
    Web of Science & Scopus
    The use of THz metamaterials for studying the adsorption of the SARS-CoV-2 virus spike protein by vibrational spectroscopy // 2022 International Conference Laser Optics, ICLO 2022 - Proceedingss, 2022 TOP10 doi
47. труды конференции РИНЦ ДВУХФОТОННЫЙ ДИЗАЙН ДЛЯ ТГц КВАНТОВО-КАСКАДНЫХ ЛАЗЕРОВ: ОТ ИДЕИ ДО ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ РЕАЛИЗАЦИИ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 92-93
48. труды конференции РИНЦ ПЛЕНКИ n-InAs, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА САПФИРЕ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 88-89
49. труды конференции РИНЦ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ КВАНТОВЫХ ЯМ И СВЕРХРЕШЕТОК С ПОМОЩЬЮ НЕСТАЦИОНАРНОГО УРАВНЕНИЯ ШРЕДИНГЕРА // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 64-65
50. труды конференции РИНЦ ВЫСОКОТОЧНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs ТРАНЗИСТОРА // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 52-53
51. труды конференции РИНЦ ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ПЛАНАРИЗАЦИИ ГРЕБЕНЧАТЫХ СТРУКТУР РАДИОФОТОННЫХ КОМПОНЕНТОВ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 46-47
52. труды конференции РИНЦ ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОДЕЛЕЙ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СВЧ МИС НА ОСНОВЕ GaAs // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 24-25
53. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ДИФФУЗИИ ЦИНКА ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ НА ТОКОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ InGaAs/AlGaAs/GaAs-СТРУКТУР // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 166-167
54. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ НЕЙТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 22-23
55. труды конференции РИНЦ НЕЛИНЕЙНОЕ ПЛАЗМОН-ЭКСИТОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ УЛУЧШАЕТ ДВУХФОТОННЫЕ СВОЙСТВА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК // XI МЕЖДУНАРОДНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОНИКЕ И ИНФОРМАЦИОННОЙ ОПТИКЕ, 2022г. Стр. 70-71
56. труды конференции РИНЦ ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА МАХА-ЦЕНДЕРА НА ОСНОВЕ INP С ШИРИНОЙ ПОЛОСЫ 40 ГГЦ // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем, 2022г. Стр. 67-75
57. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОГО ТЕХПРОЦЕССА 0.15 МКМ РНЕМТ ДЛЯ МИС СВЧ МШУ // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем, 2022г. Стр. 75-83
58. труды конференции РИНЦ СРАВНЕНИЕ СВЧ ХАРАКТЕРИСТИК 0.15 МКМ-РНЕМТ ТРАНЗИСТОРОВ С ДЕЛЬТА- И КОМБИНИРОВАННЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ В РЕЖИМЕ БОЛЬШОГО СИГНАЛА // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 149-153
59. труды конференции РИНЦ ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР НА ОСНОВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ВОЛНОВОДНЫХ СТРУКТУР ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 148-149
60. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА И ИЗГОТОВЛЕНИЕ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ АНТЕННЫ С ПЛАЗМОННЫМИ ЗОЛОТЫМИ НАНООСТРОВКАМИ И НАНОСТЕРЖНЯМИ В ТГц ОБЛАСТИ // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 102-103
61. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОТКА ЭЛЕКТРОАБСОРБЦИОННОГО МОДУЛЯТОРА НА ПЛАТФОРМЕ InP // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 164-165
62. труды конференции РИНЦ КРОССПЛАТФОРМЕННЫЙ ПОДХОД К МОДЕЛИРОВАНИЮ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА МАХА-ЦЕНДЕРА НА ПЛАТФОРМЕ InP // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 154-155
63. журнал ВАК Аномальный фотоотклик легированных сверхрешеток GaAs/AlAs с электрическими доменами // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, 2022г. Т. 14, Вып. 2 Стр. 31-33 doi
64. журнал ВАК Структурные свойства сверхрешеток LTG-GaAs/GaAs : Si на подложках GaAs (100) и (111)А // Нано- и микросистемная техника, 2022г. Т. 24, Вып. 2 Стр. 74-80 doi
65. Статья
    Web of Science & Scopus
    Nonlinear plasmon-exciton infrared photodetector operating in the two-photon absorption mode // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2022 Vol. 12009, Q4 doi
66. журнал ВАК Аномальный фотоотклик легированных сверхрешеток GaAs/AlAs с электрическими доменами // Нанотехнологии: разработка, применение - XXI век, 2022г. Т. 18, Вып. 1 Стр. 16-20 doi
67. Статья
    Web of Science & Scopus
    3.3 THz Quantum Cascade Laser Based on a Three GaAs/AlGaAs Quantum-Well Active Module with an Operating Temperature above 120 K // Semiconductors, 2022 Q4 doi
68. труды конференции РИНЦ ТГц квантово-каскадные лазеры с испусканием двух фотонов в одном усиливающем модуле, выращенные методами МЛЭ и МОС-гидридной эпитаксии // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА, 2022г. Стр. 1043-1044
69. труды конференции РИНЦ Перенос носителей заряда в квантово-каскадных гетероструктурах с участием локализованных донорных состояний // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА, 2022г. Стр. 693-694
70. Статья
    Web of Science & Scopus
    Comparison of the thermal interdiffusion phenomena in InGaAs/GaAs and InGaAs/AlGaAs strained heterostructures // Surfaces and Interfaces, 2022 Vol. 29, Q1 doi
71. Статья
    Web of Science & Scopus
    Study of adsorption of the SARS-CoV-2 virus spike protein by vibrational spectroscopy using terahertz metamaterials // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 1, Q3 pp. 2-12 doi
72. журнал ВАК Параметризация СВЧ и шумовой модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT INALAS/INGAAS транзистора // Микроэлектроника, 2021г. Т. 50, Вып. 3 Стр. 199-207 doi
73. журнал ВАК Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой >120 K // Физика и техника полупроводников, 2021г. Т. 55, Вып. 11 Стр. 989-994 doi
74. журнал РИНЦ Исследование излучательных особенностей терагерцового квантово-каскадного лазера при изменении тока и температуры // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА, 2021г. Стр. 748-749
75. Статья
    Web of Science & Scopus
    Anomalous Photoresponse of Heavily Doped GaAs/AlAs Superlattices with Electric Domains // Journal of Communications Technology and Electronics, 2021 Vol. 66, No. 12, Q3 pp. 1385-1387 doi
76. Статья
    Web of Science & Scopus
    Plasmon-exciton interaction strongly increases the efficiency of a quantum dot-based near-infrared photodetector operating in the two-photon absorption mode under normal conditions // Nanoscale, 2021 TOP10 doi
77. Статья
    Web of Science & Scopus
    Development of a 0.15 μm gaas phemt process design kit for low‐noise applications // Electronics (Switzerland), 2021 Vol. 10, No. 22, Q2 doi
78. Статья
    Web of Science & Scopus
    Effect of Different De-Embedding Techniques on Small-Signal Parameters of X-Band Low-Noise Amplifier // SIBCON 2021 - International Siberian Conference on Control and Communications, 2021 НЕТ doi
79. Статья
    Web of Science & Scopus
    Parametrization of a Microwave and the Noise Model of a Metamorphic 0.15 µm MHET InAlAs/InGaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2021 Vol. 50, No. 3, Q4 pp. 170-177 doi
80. Статья
    Web of Science & Scopus
    Electron effective masses, nonparabolicity and scattering times in one side delta-doped PHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells at high electron density limit // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, 2021 Vol. 133, Q1 doi
81. Статья
    Web of Science & Scopus
    Pulsed laser modification of layered B-C and mixed BCx films on sapphire substrate // Diamond and Related Materials, 2021г. Т. 114, Q1 doi

Показаны конференции за последние 3 года

1. Май 2023 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ- электроники «Мокеровские чтения» Тема доклада: ОБЗОР ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ СЕНСОРОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА ДЛЯ ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ УСЛОВИЙ ЭКСПЛУАТАЦИИ
2. Апрель 2022 IX Всероссийская научно-техническая конференция "Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем" Тема доклада: РАЗРАБОТКА ОТЕЧЕСТВЕННОГО ТЕХПРОЦЕССА 0.15 МКМ РНЕМТ ДЛЯ МИС СВЧ МШУ
3. Апрель 2022 IX Всероссийская научно-техническая конференция "Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем" Тема доклада: ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА МАХА-ЦЕНДЕРА НА ОСНОВЕ INP С ШИРИНОЙ ПОЛОСЫ 40 ГГЦ