Козырев А.А.

Козырев Антон Андреевич

Ученая степень: кандидат технических наук

Доцент

Кафедра полупроводниковой квантовой электроники и биофотоники (№88) инженерно-физического института биомедицины НИЯУ МИФИ
Работает в МИФИ с 2014 года
Научно-педагогический стаж: 8 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: ГОУ ВПО "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского". 2008. Специальность «Микроэлектроника и твердотельная электроника». Kвалификация «инженер»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2023. Специальность «Проблемы и возможности использования искусственного интеллекта в образовании».

Преподаваемые дисциплины

1. Постростовая технология производства полупроводниковых лазеров

Публикационная активность

2
Индекс Хирша (Scopus)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. журнал РИНЦ Influence of ion cleaning of front facet of 9xx nm InGaAs/AlGaAs/GaAs diode lasers on their maximal output power // Semiconductors, 2023 Vol. 57, No. 1 pp. 54 doi
  2. журнал ВАК Влияние ионной очистки поверхности излучающего скола 9хх нм лазерных диодов на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs на их предельную мощность излучения // Физика и техника полупроводников, 2023г. Т. 57, Вып. 1 Стр. 58-62 doi
  3. журнал РИНЦ ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ // Физика полупроводников и твердотельная электроника, 2022г. Стр. 181-202
  4. Статья
    Web of Science & Scopus
    Co-deposited Si-Al thin films as a base material to decrease the reflectance in the millimeter-band frequencies // Progress in Biomedical Optics and Imaging - Proceedings of SPIE, 2022 Vol. 12193, Q4 doi
  5. журнал ВАК Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940-980 нм) с расширенным асимметричным волноводом // Квантовая электроника, 2022г. Т. 52, Вып. 2 Стр. 179-181
  6. Статья
    Web of Science & Scopus
    Improvement of the current - Voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ( λ = 940 - 980 nm) // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 2, Q3 pp. 179-181 doi
  7. Статья
    Web of Science & Scopus
    Optoacoustic Effect in a Hybrid Multilayered Membrane Deposited on a Hollow-Core Microstructured Optical Waveguide // ACS Photonics, 2021 TOPMEPHI doi

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

10 октября 2023 — 1 ноября 2023 Проблемы и возможности использования искусственного интеллекта в образовании (16 часов) НИЯУ МИФИ
3 апреля 2023 — 31 мая 2023 Экспериментальные методы и техника эксперимента для синхротронных, рентгеновских и нейтронных исследований (16 часов) НИЯУ МИФИ
2 июня 2022 — 28 июня 2022 SQL в свободно-распространяемых СУБД (16 часов) НИЯУ МИФИ
13 мая 2022 — 24 мая 2022 Обработка и анализ данных в Excel (16 часов) НИЯУ МИФИ
6 декабря 2021 — 20 января 2022 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
19 января 2021 — 12 февраля 2021 Разработка приложений виртуальной реальности на движке Unity \ Введение в образовательный дата-инжиниринг (38 часов) НИЯУ МИФИ
17 ноября 2020 — 14 января 2021 Разработка приложений виртуальной реальности на движке Unity \ Основы педагогического дизайна (38 часов) НИЯУ МИФИ
11 ноября 2020 — 18 ноября 2020 Анализ изображений (18 часов) Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ)
6 октября 2020 — 30 октября 2020 Разработка приложений виртуальной реальности (22 часа) Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ)
28 октября 2019 — 30 октября 2019 Инженерно-физические технологии биомедицины (на английском языке) (18 часов) Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ)

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»