Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Лабунов В.
Лабунов В.

Лабунов Владимир

Ученая степень: доктор технических наук
Ученое звание: профессор
Прочие звания: Академик Российской Академии Наук

Профессор

Кафедра полупроводниковой квантовой электроники и биофотоники (№88) инженерно-физического института биомедицины НИЯУ МИФИ
Написать сообщение

Владение языками

английский
французский
Работает в МИФИ с 2016 года
Научно-педагогический стаж: 47 лет

О себе

В1961 г. окончил Белорусский политехнический институт. Доктор технических наук, профессор, академик НАНБ, Иностранный член РАН.
Заслуженный изобретатель и лауреат Государственной премии РБ, награжден орденами Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, медалью "За трудовую доблесть".
С 1989 по 1991 гг. В.А. Лабунов член Верховного Совета СССР (Москва), зам. Председателя Комитета по науке и технологиям.
С 1994 по 2001 гг. - Чрезвычайный и Полномочный Посол РБ в БЕНИЛЮКС, Постоянный Представитель при ЕС и НАТО.
С 2001 г. Зав. лабораторией «Интегрированные микро- и наносистемы» БГУИР. За последних 5 лет опубликовано более 150 научных работ.
Индекс Хирша по базе Scopus 14, по базе Google Scolar 20.

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Белорусский политехнический институт им. И.В. Сталина. 1961. Специальность «машины и технология обработки металлов давлением». Kвалификация «инженер-механик»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2021. Цифровая трансформация университета ПК №062764.

Преподаваемые дисциплины

1. Гетероструктурная оптоэлектроника

Публикационная активность

10
Индекс Хирша (Web of Science)
12
Индекс Хирша (Scopus)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. Статья
    Web of Science & Scopus
    Upconversion Luminescence from Sol-Gel-Derived Erbium- and Ytterbium-Doped BaTiO3 Film Structures and the Target Form // Photonics, 2023 Vol. 10, No. 4, Q2 doi
  2. Статья
    Web of Science & Scopus
    Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO2/Si Substrate: A Joint Experimental and Theoretical Study // Applied Sciences (Switzerland), 2022 Vol. 12, No. 22, Q2 doi
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    Optical Properties and Upconversion Luminescence of BaTiO3 Xerogel Structures Doped with Erbium and Ytterbium // Gels, 2022 Vol. 8, No. 6, Q3 doi
  4. журнал ВАК Фотонные кристаллы BaTiO<sub>3</sub>/SiO<sub>2</sub>, сформированные золь-гель методом // Физика и техника полупроводников, 2021г. Т. 55, Вып. 10 Стр. 912-915 doi
  5. Статья
    Web of Science & Scopus
    Sol–Gel Derived Photonic Crystals BaTiO3/SiO2 // Semiconductors, 2021г. Q4 doi
  6. Статья
    Web of Science & Scopus
    Effect of graphene domains orientation on quasi van der Waals epitaxy of GaN // Journal of Applied Physics, 2021 Vol. 130, No. 18, Q1 doi
  7. Статья A supersensitive silicon nanowire array biosensor for quantitating tumor marker ctDNA // Biosensors and Bioelectronics, 2021 Vol. 181 pp. 113147 doi
  8. Статья Effect of graphene domains orientation on Quasi van der Waals epitaxy of GaN. // J. Appl. Phys., 2021

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Повышение квалификации

26 ноября 2021 — 21 декабря 2021 Цифровая трансформация университета (16 часов) Национальный исследовательский я́дерный университет «МИФИ»

Стажировки

1967-1968. Университете Брауна (США) в области микроэлектроники.

1973-1974 гг. научная
работа в Институте фундаментальной электроники Парижского Университета (Франция).

1976 г. Научная работа в Копенгагенском Университете (Дания).

Членство в редколлегиях научных журналов

с мая 2010 Известия высших учебных заведений. Электроника
янв. 2000 — янв. 2021 Нано- и микросистемная техника

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»