Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Сигловая Н.В.
Сигловая Н.В.

Сигловая Наталия Владимировна

Ученая степень: кандидат химических наук

Доцент

Кафедра физики конденсированных сред (№67) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ

Ведущий инженер

Лаборатория комплексной технологии полупроводниковых приборов центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
Написать сообщение Осень 2024. Расписание
Работает в МИФИ с 2014 года
Научно-педагогический стаж: 18 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Ставропольский политехнический институт. 1993. Специальность «Физика и технология материалов и комплексной электронной технологии». Kвалификация «Инженер электронной техники»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2023. Специальность «Проблемы и возможности использования искусственного интеллекта в образовании».

Преподаваемые дисциплины

1. Введение в специальность
2. Технология материалов электронной техники
3. Физическая химия

Публикационная активность

1
Индекс Хирша (Web of Science)
1
Индекс Хирша (Scopus)
2
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. журнал ВАК АНАЛИЗ МЕХАНИЗМОВ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ В ALN/GaN НЕМТ-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С УЛЬТРАТОНКИМ AlN БАРЬЕРОМ // Микроэлектроника, 2024г. Т. 53, Вып. 3 Стр. 265-273 doi
  2. труды конференции РИНЦ СИНТЕЗ ФОТОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ // Мокеровские чтения, 2024г. Стр. 41-42
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 3, Q4 pp. 252-259 doi
  4. труды конференции РИНЦ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК Al2O3 МЕТОДОМ ALD: МОРФОЛОГИЯ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 80-81
  5. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SIC/SI // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 66-67
  6. журнал РИНЦ Исследование тонких пленок AlN, формируемых методом импульсного лазерного осаждения // Научные исследования: итоги и перспективы, 2022г. Т. 3, Вып. 1 Стр. 33-38 doi
  7. журнал ВАК Релаксация механических напряжений в эпитаксиальных пленках кубического карбида кремния на кремниевых подложках с буферным пористым слоем // Журнал технической физики, 2021г. Т. 91, Вып. 6 Стр. 988-996 doi
  8. Статья
    Web of Science & Scopus
    Relaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer // Technical Physics, 2021 Q4 doi

Показаны конференции за последние 3 года

  1. Май 2023 Мокеровские чтения 14-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники Тема доклада: Низкотемпературное осаждение тонких пленок Al2O3 методом ALD: морфология и электрические характеристики
  2. Май 2022 Мокеровские чтения. 13-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники Тема доклада: Исследование электрофизических параметров гетероструктур 3С-SiC/Si

Повышение квалификации

25 октября 2023 — 30 ноября 2023 «Технологии современной компонентной базы СВЧ электроники, оптоэлектроники и радиофотоники» (18 часов) НИЯУ МИФИ
10 октября 2023 — 1 ноября 2023 Проблемы и возможности использования искусственного интеллекта в образовании (16 часов) МИФИ
26 ноября 2021 — 21 декабря 2021 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»