Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Бойченко Д.В.
Бойченко Д.В.

Бойченко Дмитрий Владимирович

Ученая степень: кандидат технических наук

Доцент

Кафедра электроники (№3) института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ
Написать сообщение Осень 2025. Расписание

Владение языками

английский
Работает в МИФИ с 2011 года
Научно-педагогический стаж: 14 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), г. Москва. 2002. Специальность «Электроника и автоматика физических установок». Kвалификация «инженер-физик»

Преподаваемые дисциплины

1. Микросистемы
2. Проектирование электронных систем
3. Элементы аналого-цифровых систем

Публикационная активность

5
Индекс Хирша (Web of Science)
9
Индекс Хирша (Scopus)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. Статья
    Web of Science & Scopus
    Predictive Analysis of Microcircuits’ Radiation Hardness in the Fabrication Process. II. Selection of Test Objects and the Statistical Processing of the Obtained Results // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 7 pp. 696-703 doi
  2. Статья
    Web of Science & Scopus
    Predictive Analysis of Microcircuits’ Radiation Hardness in the Fabrication Process. I. System and Implementation Algorithms for Various Product Categories // Russian Microelectronics, 2024 Vol. 53, No. 7 pp. 688-695 doi
  3. Статья
    Издание МИФИ
    МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ ПИТАНИЕМ МИКРОСХЕМЫ РАДИОЧАСТОТНОЙ МЕТКИ СИСТЕМ ЦИФРОВОЙ МАРКИРОВКИ И ИДЕНТИФИКАЦИИ ОБЪЕКТОВ КРИТИЧЕСКОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ // Безопасность информационных технологий, 2024г. Т. 31, Вып. 2 Стр. 142-158 doi
  4. Статья
    Web of Science & Scopus
    The 4 Watt UHF VDMOS Power Amplifier for Space Applications // 2023 IEEE 33rd International Conference on Microelectronics, MIEL 2023, 2023 TOP10 doi
  5. журнал ВАК Прогнозный контроль радиационной стойкости микросхем в серийном производстве II. Выбор объектов испытаний и статистическая обработка результатов контроля // Известия высших учебных заведений. Электроника, 2023г. Т. 28, Вып. 3 Стр. 337-350 doi
  6. Статья
    Издание МИФИ
    ЗАВИСИМОСТЬ СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СИГМА-ДЕЛЬТА АНАЛОГО-ЦИФРОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ОТ ПОГЛОЩЕННОЙ ДОЗЫ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ // Безопасность информационных технологий, 2023г. Т. 30, Вып. 2 Стр. 127-141 doi
  7. журнал ВАК Прогнозный контроль радиационной стойкости микросхем в серийном производстве I. Система и алгоритмы реализации для различных категорий изделий // Известия высших учебных заведений. Электроника, 2023г. Т. 28, Вып. 2 Стр. 189-201 doi
  8. труды конференции РИНЦ Особенности задания требований и оценки стойкости исходных пластин с полупроводниковыми авто- и гетероэпитаксиальными структурами для изделий микроэлетроники // Российский форум «Микроэлектроника 2022», 2022г. Стр. 267-269

Показаны конференции за последние 3 года

Информация о конференциях не найдена

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»