Козловский В.И.

Козловский Владимир Иванович

Ученая степень: доктор физико-математических наук
Ученое звание: профессор

Профессор

Кафедра полупроводниковой квантовой электроники и биофотоники (№88) инженерно-физического института биомедицины НИЯУ МИФИ
Работает в МИФИ с 2014 года
Научно-педагогический стаж: 11 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский физико-технический институт. 1972. Специальность «Приборы и системы ориентации, стабилизации и навигации». Kвалификация «инженер-физик»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2022. Специальность «Цифровая трансформация университета». Цифровая трансформация университета ПК №066250.

Преподаваемые дисциплины

1. Полупроводниковые дисковые лазеры

Образовательные программы

1. Перспективные полупроводниковые лазеры и технологии

Публикационная активность

18
Индекс Хирша (Web of Science)
21
Индекс Хирша (Scopus)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. труды конференции РИНЦ РАСЧЕТ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdS/ZnSe/ZnSSe С ЗОННОЙ ДИАГРАММОЙ 2-ГО ТИПА // Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2023, 2023г. Стр. 274
  2. труды конференции РИНЦ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИСКОВЫЙ ЛАЗЕР ЗЕЛЁНОГО ДИАПАЗОНА (~520 НМ) НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdS/ZnSe/ZnSSe // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 56-57
  3. труды конференции РИНЦ ГЕТЕРОСТРУКТУРА ZnCdS/ZnCdSe/ZnSSe С МАЛЫМ ГРАДИЕН-ТОМ КОНЦЕНТРАЦИИ ПО Zn И Cd В КВАНТОВОЙ ЯМЕ // IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур, 2023г. Стр. 58
  4. труды конференции РИНЦ ИЗМЕРЕНИЕ ДЛИНЫ ДИФФУЗИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТВЕРДОМ РАСТВОРЕ ZnS<sub>0.1</sub>Se<sub>0.9</sub&gt // IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур, 2023г. Стр. 101-102
  5. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ НЕОДНОРОДНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИСКОВОГО ЛАЗЕРА НА ЕГО ВЫХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ // IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур, 2023г. Стр. 99-100
  6. журнал РИНЦ Сравнение расчетных значений оптических переходов со спектром люминесценции выращенных гетероструктур второго типа CdS/ZnSe // Научные исследования: итоги и перспективы, 2023г. Т. 4, Вып. 1 Стр. 29-33 doi
  7. Статья
    Web of Science & Scopus
    Study of a Diode-Pumped Semiconductor Disk Laser Based on a CdS/ZnSe/ZnSSe Heterostructure // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2023 Vol. 50, No. 2, Q4 pp. 63-68 doi
  8. труды конференции РИНЦ САМОСОГЛАСОВАННОЕ РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЙ ШРЕДИНГЕРА И ПУАССОНА В КВАНТОВОРАЗМЕРНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ 2-ГО ТИПА cdS/ZnSe // Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике, 2022г. Стр. 109-113
  9. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИСКОВОГО ЛАЗЕРА С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМ УДВОЕНИЕМ ЧАСТОТЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ InGaAs/AlGaAs, ВЫРАЩЕННОЙ МЕТОДОМ MOCVD // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 162-163
  10. журнал ВАК Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al<sub>x</sub>Ga<sub>1- x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1- y</sub>As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком // Квантовая электроника, 2022г. Т. 52, Вып. 4 Стр. 362-366
  11. журнал ВАК Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода // Квантовая электроника, 2022г. Т. 52, Вып. 4 Стр. 359-361
  12. Статья
    Web of Science & Scopus
    Semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a MOCVD-grown Alx Ga1- x As/Aly Ga1- y As heterostructure with optical and electron beam pumping // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 4, Q3 pp. 362-366 doi
  13. Статья
    Web of Science & Scopus
    Semiconductor laser based on a CdS/ZnSe heterostructure with longitudinal optical pumping by a laser diode // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 4, Q3 pp. 359-361 doi

Показаны конференции за последние 3 года

  1. Апрель 2025 8-й симпозиум "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" Тема доклада: Мощный CdSSe лазер с двухфотонной накачкой
  2. Апрель 2025 8-й симпозиум Полупроводниковые лазеры: физика и технология Тема доклада: GaN/AlN гетероструктуры с дробно-монослойными квантовыми ямами для мощных источников ультрафиолетового-С излучения
  3. Апрель 2025 8-й симпозиум Полупроводниковые лазеры: физика и технология Тема доклада: Источник УФ-излучения с накачкой электронным пучком на основе микрорезонаторных гетероструктур с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, выращенными на профилированных подложках сапфира
  4. Апрель 2025 8-й симпозиум Полупроводниковые лазеры: физика и технология Тема доклада: Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с внутри резонаторной накачкой в квантовые ямы
  5. Июль 2024 21-ая Международная конференция Лазер Оптикс - 2024, 1-5 июля 2024, С.-Петербург, Россия Тема доклада: Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре InGaP/AlGaInP с внутриямной накачкой
  6. Май 2023 14-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ» 24-25 мая 2023 года, НИЯУ МИФИ Тема доклада: Полупроводниковый дисковый лазер зелёного диапазона (~522 нм) на основе гетероструктуры CdS/ZnSe/ZnSSe
  7. Март 2023 IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 Тема доклада: РАСЧЕТ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdS/ZnSe/ZnSSe С ЗОННОЙ ДИАГРАММОЙ 2-ГО ТИПА
  8. Ноябрь 2023 IХ Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур Тема доклада: Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре InGaP/AlGaInP с накачкой в квантовые ямы, излучающий на длине волны 640 нм
  9. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: Снижение потерь оптической мощности импульсных источников УФС - излучения с накачкой электронным пучком на основе гетероструктур с множественными монослойными квантовыми ямами GaN/AlN
  10. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: VECSEL зеленого диапазона (522 нм) с оптической накачкой
  11. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: Структуры с множественными квантовыми дисками GaN/AlN для мощных излучателей ультрафиолетового-С излучения

Повышение квалификации

30 октября 2024 — 30 января 2025 Развитие цифровых навыков преподавателей и сотрудников университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
11 октября 2024 — 22 октября 2024 Современные технологии биомедицины (16 часов) НИЯУ МИФИ
6 декабря 2021 — 20 января 2022 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
8 декабря 2020 — 26 февраля 2021 Независимая оценка квалификации студентов НИЯУ МИФИ (72 часа) ФГАОУ ВО «НИЯУ МИФИ»
28 октября 2019 — 30 октября 2019 Инженерно-физические технологии биомедицины (на английском языке) (18 часов) НИЯУ МИФИ

Гранты

сент. 2020 — сент. 2022 Эпитаксиальное выращивание гетероструктур нового типа на основе соединений А2В6 и создание на их основе полупроводникового дискового лазера, излучающего на основной частоте в сине-зеленом диапазоне спектра РФФИ

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»