Козловский В.И.

Козловский Владимир Иванович

Ученая степень: доктор физико-математических наук
Ученое звание: профессор

Профессор

Кафедра полупроводниковой квантовой электроники и биофотоники (№88) инженерно-физического института биомедицины НИЯУ МИФИ
Работает в МИФИ с 2014 года
Научно-педагогический стаж: 10 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Московский физико-технический институт. 1972. Специальность «Приборы и системы ориентации, стабилизации и навигации». Kвалификация «инженер-физик»
Профессиональное обучение: ФГАОУ ВО "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ". 2022. Специальность «Цифровая трансформация университета».

Преподаваемые дисциплины

1. Полупроводниковые дисковые лазеры

Публикационная активность

18
Индекс Хирша (Web of Science)
21
Индекс Хирша (Scopus)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. труды конференции РИНЦ ГЕТЕРОСТРУКТУРА ZnCdS/ZnCdSe/ZnSSe С МАЛЫМ ГРАДИЕН-ТОМ КОНЦЕНТРАЦИИ ПО Zn И Cd В КВАНТОВОЙ ЯМЕ // IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур, 2023г. Стр. 58
  2. труды конференции РИНЦ ИЗМЕРЕНИЕ ДЛИНЫ ДИФФУЗИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТВЕРДОМ РАСТВОРЕ ZnS<sub>0.1</sub>Se<sub>0.9</sub&gt // IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур, 2023г. Стр. 101-102
  3. труды конференции РИНЦ ВЛИЯНИЕ НЕОДНОРОДНОГО ВОЗБУЖДЕНИЯ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИСКОВОГО ЛАЗЕРА НА ЕГО ВЫХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ // IX Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур, 2023г. Стр. 99-100
  4. журнал РИНЦ Сравнение расчетных значений оптических переходов со спектром люминесценции выращенных гетероструктур второго типа CdS/ZnSe // Научные исследования: итоги и перспективы, 2023г. Т. 4, Вып. 1 Стр. 29-33 doi
  5. Статья
    Web of Science & Scopus
    Study of a Diode-Pumped Semiconductor Disk Laser Based on a CdS/ZnSe/ZnSSe Heterostructure // Bulletin of the Lebedev Physics Institute, 2023 Vol. 50, No. 2, Q4 pp. 63-68 doi
  6. труды конференции РИНЦ САМОСОГЛАСОВАННОЕ РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЙ ШРЕДИНГЕРА И ПУАССОНА В КВАНТОВОРАЗМЕРНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ 2-ГО ТИПА cdS/ZnSe // Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике, 2022г. Стр. 109-113
  7. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИСКОВОГО ЛАЗЕРА С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМ УДВОЕНИЕМ ЧАСТОТЫ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ InGaAs/AlGaAs, ВЫРАЩЕННОЙ МЕТОДОМ MOCVD // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 162-163
  8. журнал ВАК Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al<sub>x</sub>Ga<sub>1- x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1- y</sub>As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком // Квантовая электроника, 2022г. Т. 52, Вып. 4 Стр. 362-366
  9. журнал ВАК Полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры CdS/ZnSe с продольной оптической накачкой излучением лазерного диода // Квантовая электроника, 2022г. Т. 52, Вып. 4 Стр. 359-361
  10. Статья
    Web of Science & Scopus
    Semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a MOCVD-grown Alx Ga1- x As/Aly Ga1- y As heterostructure with optical and electron beam pumping // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 4, Q3 pp. 362-366 doi
  11. Статья
    Web of Science & Scopus
    Semiconductor laser based on a CdS/ZnSe heterostructure with longitudinal optical pumping by a laser diode // Quantum Electronics, 2022 Vol. 52, No. 4, Q3 pp. 359-361 doi
  12. журнал РИНЦ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИСКОВЫЙ ЛАЗЕР С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ 497 НМ // Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛАПЛАЗ-2021, 2021г. Стр. 31-32
  13. Статья
    Web of Science & Scopus
    Cd diffusion in CdS/ZnSe MQW heterostructures grown by MOVPE for semiconductor disk lasers // Journal of Alloys and Compounds, 2021 Vol. 880, TOP10 doi

Показаны конференции за последние 3 года

  1. Май 2023 14-я Международная Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ» 24-25 мая 2023 года, НИЯУ МИФИ Тема доклада: Полупроводниковый дисковый лазер зелёного диапазона (~522 нм) на основе гетероструктуры CdS/ZnSe/ZnSSe
  2. Март 2023 IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 Тема доклада: РАСЧЕТ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdS/ZnSe/ZnSSe С ЗОННОЙ ДИАГРАММОЙ 2-ГО ТИПА
  3. Ноябрь 2023 IХ Международный симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур Тема доклада: Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре InGaP/AlGaInP с накачкой в квантовые ямы, излучающий на длине волны 640 нм
  4. Май 2022 1-ая Международная конференция «ЛАЗЕРЫ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ» Минск, Беларусь
  5. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: Структуры с множественными квантовыми дисками GaN/AlN для мощных излучателей ультрафиолетового-С излучения
  6. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: VECSEL зеленого диапазона (522 нм) с оптической накачкой
  7. Декабрь 2022 7-й симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология» Санкт-Петербург Тема доклада: Снижение потерь оптической мощности импульсных источников УФС - излучения с накачкой электронным пучком на основе гетероструктур с множественными монослойными квантовыми ямами GaN/AlN
  8. Март 2022 VIII Международная конференция Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз - 2022. НИЯУ МИФИ.
  9. Ноябрь 2021 VIII МЕЖДУНАРОДНЫЙ СИМПОЗИУМ ПО КОГЕРЕНТНОМУ ОПТИЧЕСКОМУ ИЗЛУЧЕНИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ И СТРУКТУР

Повышение квалификации

6 декабря 2021 — 20 января 2022 Цифровая трансформация университета (16 часов) НИЯУ МИФИ
8 декабря 2020 — 26 февраля 2021 Независимая оценка квалификации студентов НИЯУ МИФИ (72 часа) ФГАОУ ВО «НИЯУ МИФИ»
28 октября 2019 — 30 октября 2019 Инженерно-физические технологии биомедицины (на английском языке) (18 часов) НИЯУ МИФИ

Гранты

сент. 2020 — сент. 2022 Эпитаксиальное выращивание гетероструктур нового типа на основе соединений А2В6 и создание на их основе полупроводникового дискового лазера, излучающего на основной частоте в сине-зеленом диапазоне спектра РФФИ

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»