Орлова Ксения Николаевна
Ученая степень:
кандидат технических наук
Доцент
Кафедра радиационной физики и безопасности атомных технологий (№1) института ядерной физики и технологий НИЯУ МИФИ
Работает в МИФИ с 2020 года
Научно-педагогический стаж:
16
лет
О себе
Областью научных интересов является радиационная стойкость, радиационная безопасность, радиационные эффекты в твердом теле.
Направления исследований:
- Радиационная стойкость полупроводниковых приборов;
- Надежность полупроводниковых приборов;
- Радиационная и экологическая безопасность;
- Защита окружающей среды при ЧС радиационного характера;
- Взаимодействие ионизирующего излучения с окружающей средой.
Образование
Высшее образование — специалитет, магистратура: ГОУ ВПО "Кемеровский государственный университет". 2008. Специальность «Физика». Kвалификация «Физик»
Преподаваемые дисциплины
1.
Безопасность жизнедеятельности
2.
Радиационная безопасность
3.
Радиационная защита ядерных установок
Публикационная активность
4
Индекс Хирша
(Web of Science)
6
Индекс Хирша
(Scopus)
10
Индекс Хирша
(РИНЦ)
Показаны публикации за последние 3 года
- журнал ВАК АНАЛИЗ ВАТТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОДИОДОВ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ИЗ РАЗЛИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ // Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, 2024г. Т. 13, Вып. 1 Стр. 52-58 doi
- журнал ВАК Особенности изменения мощности излучения светодиодов на основе соединений ALGAINP под воздействием быстрых нейтронов // Журнал радиоэлектроники, 2023г. Вып. 12 Стр. 1-10 doi
- Статья ОСОБЕННОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ ALGAINP ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ БЫСТРЫХ НЕЙТРОНОВ // ЖУРНАЛ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ, 2023г. Вып. 12 Стр. 1-10 doi
-
Статья
Web of Science & ScopusInfluence of LED Power Mode on Resistance to Gamma Rays // Inorganic Materials: Applied Research, 2023 Vol. 14, No. 2, Q3 pp. 280-285 doi
-
Статья
Web of Science & ScopusLoss of the Emission Power in LEDs // Instruments and Experimental Techniques, 2023 Vol. 66, No. 1, Q4 pp. 73-79 doi
- журнал ВАК ПОТЕРИ МОЩНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ В СВЕТОДИОДАХ // Приборы и техника эксперимента, 2023г. Вып. 1 Стр. 80-86 doi
-
Статья
Web of Science & ScopusRecovery of LED Emission Power under the Exposure to 3-n-Pulse // Journal of Physics: Conference Series, 2022 Vol. 2261, No. 1, Q4 doi
- журнал ВАК Влияние режима питания светодиодов на стойкость к воздействию гамма-квантов // Перспективные материалы, 2022г. Вып. 7 Стр. 5-13 doi
-
Статья
Web of Science & ScopusPhysical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures // Semiconductor Science and Technology, 2022 Vol. 37, No. 5, Q2 doi
-
Статья
Web of Science & ScopusInfluence of Built-in Electric Fields on the GalliumPhosphide-Based LEDs Hardness to Gamma-Ray Irradiation // International Journal of Emerging Technology and Advanced Engineering, 2022 Vol. 12, No. 2, TOP10 pp. 100-107 doi
-
Статья
Издание МИФИВЛИЯНИЕ ВСТРОЕННЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ НА СТОЙКОСТЬ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ К ОБЛУЧЕНИЮ ГАММА-КВАНТАМИ // Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ, 2021г. Т. 10, Вып. 6 Стр. 565-571 doi
- журнал ВАК ИМИТАЦИЯ РАЗЛИЧНЫХ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СВЕТОДИОДЫ СХЕМНЫМ МОДЕЛИРОВАНИЕМ ОБЪЕМНЫХ КАНАЛОВ УТЕЧКИ ТОКА // Приборы и техника эксперимента, 2021г. Вып. 5 Стр. 90-99 doi
-
Статья
Web of Science & ScopusPhysical Modeling of Dislocation Connection in LEDs under Different External Impacts // Instruments and Experimental Techniques, 2021 Vol. 64, No. 5, Q4 pp. 720-728 doi
Показаны конференции за последние 3 года
- Сентябрь 2022 EFRE 2022: 20th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter Radiation defects: structure, formation, properties Тема доклада: EFFECT OF γ-n-PULSE ON AlGaAs LEDs
- Март 2022 XXVI симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» Тема доклада: Radiation Hardness of ALGAINP LEDs with Multiple Quantum Wells to Gamma-Quantum Irradiation
Повышение квалификации
21 октября 2024 — 31 октября 2024
Автоматизация работы с текстовыми данными и таблицами Excel с помощью языка Python
(24 часа)
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
20 июня 2022 — 20 января 2023
«Педагогическая компетентность в деятельности куратора НИЯУ МИФИ»
(72 часа)
НИЯУ МИФИ
1 октября 2016 — 7 ноября 2016
СДО "Moodle: Секреты мастерства"
(72 часа)
АНО ДПО "Инновационный образовательный центр повышения квалификации и переподготовки "Мой университет", Петрозаводск, Россия
14 сентября 2015 — 31 декабря 2015
Курсы повышения квалификации “Английский язык для научных целей”
(72 часа)
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Профессиональная переподготовка
31 декабря 2014 — 30 декабря 2017
Докторантура, Физика конденсированного состояния вещества.
(8640 часов)
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
18 ноября 2013 — 1 апреля 2015
Профессиональная переподготовка “Преподаватель высшей школы”
(1080 часов)
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
1 ноября 2010 — 1 ноября 2013
Аспирантура, 05.09.02. Электротехнические материалы и изделия. Национальный исследовательский Томский политехнический университет.
(6480 часов)
Томск, Россия
Гранты
июня 2013 — дек. 2013
Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014—2020 годы», "Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами"
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
мая 2012 — июля 2012
Грант «Мобильность молодых ученых ТПУ»
Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»