Персональные страницы сотрудников НИЯУ МИФИ
НИЯУ МИФИ Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
  1. Научно-педагогические работники
  2. Рыжук Р.В.
Рыжук Р.В.

Рыжук Роман Валериевич

Ученая степень: кандидат технических наук

Доцент

Кафедра физики конденсированных сред (67, ИНТЭЛ КАФ.67)

Заведующий лабораторией

Лаборатория дизайна и свч измерений центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ (Лаборатория дизайна и свч измерений центра радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике)

Инженер

Отдел научно-технических работ и услуг центра трансфера технологий НИЯУ МИФИ (ЦТТ ОНТРУ)

Старший научный сотрудник

Лаборатория «Технологии проектирования нитридгаллиевой ЭКБ функциональных систем» центра радиофотоники и СВЧ-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ (ИНТЭЛ ЦРСТ ТПНФС)

Старший научный сотрудник

Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ (Центр радиофотоники и свч-технологий института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ)
  • 44a-15
  • 8439
Написать сообщение Весна 2024. Расписание
Работает в МИФИ с 2011 года
Научно-педагогический стаж: 18 лет

Образование

Высшее образование — специалитет, магистратура: Северо-Кавказский государственный технический университет. 2004. Специальность «Промышленная электроника». Kвалификация «инженер»

Преподаваемые дисциплины

1. Измерения в микро- и наноэлектронике
2. Лабораторный практикум по фотонике
3. Математические методы и прикладные программные пакеты в нанофотонике
4. Экспериментальная учебно-исследовательская работа
5. Элементная база СВЧ- электроники

Публикационная активность

3
Индекс Хирша (Web of Science)
5
Индекс Хирша (Scopus)
6
Индекс Хирша (РИНЦ)

Показаны публикации за последние 3 года

  1. труды конференции РИНЦ РАЗРАБОКТА ПАРАМЕТРИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ HEMT НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ AlGaN/GaN // Современные проблемы физики и технологий, 2023г. Стр. 193-195
  2. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ПУТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ БЕТАВОЛЬТАИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ P=N-ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ С ПРОФИЛИРОВАННОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ // Современные проблемы физики и технологий, 2023г. Стр. 197-199
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2023 Vol. 52, No. 3, Q4 pp. 160-166 doi
  4. труды конференции РИНЦ ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОДЕЛЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ СВЧ МИС НА ОСНОВЕ GaAs // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 66-67
  5. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ АМПЛИТУДНО-ФАЗОВОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЯ СВЧ ИЗЛУЧАТЕЛЯ С ПОМОЩЬЮ ГОЛОГРАФИЧЕСКОГО МЕТОДА // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 51-53
  6. труды конференции РИНЦ ФОРМИРОВАНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ В РАДИОЛОКАЦИОННЫХ СИСТЕМАХ С ПОМОЩЬЮ РАДИОФОТОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ // Мокеровские чтения, 2023г. Стр. 39-40
  7. труды конференции РИНЦ SYNTHESIS OF RADIO IMAGES BY MICROWAVE PHOTONICS METHODS // The 5-th lnternational Conference Terahertz and Microwave Radiation: Generation, Detection and Applications (ТЕRА-2023), 2023 pp. 125-125 doi
  8. журнал ВАК Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора // Микроэлектроника, 2023г. Т. 52, Вып. 3 Стр. 200-206 doi
  9. труды конференции РИНЦ ПОСТРОЕНИЕ НЕЛИНЕЙНОЙ МОДЕЛИ pHEMT ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ GaAs // Современные проблемы физики и технологий, 2022г. Стр. 201-202
  10. труды конференции РИНЦ ПРОЕКТИРОВАНИЕ МОДЕЛЕЙ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СВЧ МИС НА ОСНОВЕ GaAs // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 24-25
  11. труды конференции РИНЦ КРОССПЛАТФОРМЕННЫЙ ПОДХОД К МОДЕЛИРОВАНИЮ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА МАХА-ЦЕНДЕРА НА ПЛАТФОРМЕ InP // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 154-155
  12. труды конференции РИНЦ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SIC/SI // Мокеровские чтения, 2022г. Стр. 66-67
  13. журнал ВАК Параметризация СВЧ и шумовой модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT INALAS/INGAAS транзистора // Микроэлектроника, 2021г. Т. 50, Вып. 3 Стр. 199-207 doi
  14. Статья
    Web of Science & Scopus
    Parametrization of a Microwave and the Noise Model of a Metamorphic 0.15 µm MHET InAlAs/InGaAs Transistor // Russian Microelectronics, 2021 Vol. 50, No. 3, Q4 pp. 170-177 doi

Показаны конференции за последние 3 года

  1. Май 2022 13-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» Тема доклада: Проектирование моделей пассивных элементов СВЧ МИС на основе GaAs
  2. Май 2022 13-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» Тема доклада: Кроссплатформенный подход к моделированию электрооптического модулятора Маха-Цандера на платформе InP
  3. Май 2022 13-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «Мокеровские чтения» Тема доклада: Исследование электрофизических параметров гетероструктур 3C-SiC/Si
  4. Октябрь 2022 Химические источники тока-2022 Тема доклада: Исследование путей формирования бетавольтаических преобразователей энергии на профилированной поверхности кремния

Повышение квалификации

9 декабря 2022 — 23 декабря 2022 Принципы построения беспроводных биомедицинских интерфейсов и цифровых сенсорных сетей (72 часа) Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
5 декабря 2022 — 7 декабря 2022 Основные возможности и дополнительные функции осциллографического анализа электрических сигналов с помощью оборудования Rohde&Schwarz (Модуль №1) (24 часа) Учебный Центр Безопасности Информации «МАСКОМ»
6 декабря 2021 — 20 января 2022 Цифровая трансформация университета (16 часов) Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
1 декабря 2021 — 2 декабря 2021 Курс обучения на семинаре Rohde & Schwarz по темам: Осциллограф. Основы. Принцип работы цифрового осциллографа. Основные характеристики цифрового осциллографа. Практические измерения на цифровом осциллографе. (12 часов) г. Москва, ООО «Роде и Шварц Рус»
17 ноября 2018 — 20 мая 2019 Программа повышения квалификации "Развитие управленческих компетенций кадрового резерва национального исследовательского ядерного Университета" (72 часа) Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
23 апреля 2018 — 25 апреля 2018 Программа повышения квалификации "Радиоизмерения: анализ цепей и компонентов. Характеризация активных и пассивных устройств с использованием анализатора цепей" (24 часа) Keysight Technologies, Москва

Стажировки

Программа обмена опытом в области коммерциализации научных результатов. Кембриджский университет (Великобритания)

Программа обмена опытом в области коммерциализации научных результатов. Технический университет Эсхенде (Нидерланды)

Программа обмена опытом в области коммерциализации научных результатов. Университет Будапешта (Венгрия)

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»