Уланова А.В.

Уланова Анастасия Владиславовна

Ученая степень: кандидат технических наук

Доцент

Отделение нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ (414) / Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Ведущий научный сотрудник

Центр экстремальной прикладной электроники / Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Работает в МИФИ с 2008 года

Образование

В 2003 году окончила МИФИ по специальности «Электроника и автоматика физических установок», получив квалификацию «инженер-физик»

Преподаваемые дисциплины

1. Научно-исследовательская работа
2. Основы электроники
3. Цифровые устройства и системы
4. Электроника (аналоговая и цифровая электроника)
5. Электроника и электронные системы
6. Электроника (цифровая электроника)
7. Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления

Публикационная активность

2
Индекс Хирша (Web of Science)
10
Индекс Хирша (Scopus)
  1. Статья
    Web of Science & Scopus
    MEMORY CHIPS AND UNITS RADIATION TOLERANCE DEPENDENCE ON SUPPLY VOLTAGE DURING IRRADIATION AND TEST // FACTA UNIVERSITATIS-SERIES ELECTRONICS AND ENERGETICS, 2018 Vol. 31, No. 1 pp. 131-140 doi
  2. Статья
    Web of Science & Scopus
    Automated measurement system for optoelectronic devices based on National Instruments PXI-platform // 2017 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2017 - Proceedings, 2017 doi
  3. Статья
    Web of Science & Scopus
    Influence of FRAM operational mode on its SEE susceptibility // Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS, 2017 Vol. 2016-September pp. 1-4 doi
  4. Статья
    Web of Science & Scopus
    A simple analytical model of single-event upsets in bulk CMOS // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2017 Vol. 400, Q2 pp. 31-36 doi
  5. Статья
    Web of Science & Scopus
    Measurement system for test memory cells based on keysight B1500A semiconductor device analyzer running LabVIEW software // 2017 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2017 - Proceedings, 2017 doi
  6. Статья
    Web of Science & Scopus
    Total Ionizing Dose Degradation of CMOS 8-transistor Image Sensor with Column ADC // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2017 Vol. 2017-October pp. 271-274 doi
  7. Статья
    Web of Science & Scopus
    Basic trends in electronic components product range development: Radiation hardness aspects // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2017 Vol. 2017-October pp. 45-48 doi
  8. Статья
    Web of Science & Scopus
    Process Parameters Variations Influence on CMOS IC's Hardness to total Ionizing Dose // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2017 Vol. 2017-October pp. 275-277 doi
  9. Статья
    Web of Science & Scopus
    FRAM test memory cells radiation hardness research // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2017 Vol. 2017-October pp. 255-257 doi
  10. Статья
    Web of Science & Scopus
    Estimation technique for LED sensitivity to structural damage based on minority carriers lifetime measurements // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2017 Vol. 2017-October pp. 161-164 doi
  11. Статья
    Web of Science & Scopus
    Analysis of the effect of the interline CCD-sensor dark signal increasing during gamma-irradiation // Journal of Physics: Conference Series, 2016 Vol. 737, No. 1 doi
  12. Статья
    Web of Science & Scopus
    A method for registration of multiple cell upsets in high capacity memory cells induced by single nuclear particles // Russian Microelectronics, 2016 Vol. 45, No. 4, Q3 pp. 292-297 doi
  13. Статья
    Web of Science & Scopus
    NI PXI-Based Automated Measurement System for Digital ASICs Verification // MATEC Web of Conferences, 2016 Vol. 79 doi
  14. Статья
    Web of Science & Scopus
    Advanced system for CMOS SOI test structures measurements // 2016 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2016 - Proceedings, 2016 doi
  15. Статья
    Web of Science & Scopus
    Hardware/software solution for optocouplers with output MOSFET transistors based on National Instruments PXI-platform // 2016 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2016 - Proceedings, 2016г. doi
  16. Статья
    Web of Science & Scopus
    Temperature Dependence of MCU Sensitivity in 65 nm CMOS SRAM // IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2015г. Т. 62, Вып. 6, Q2 Стр. 2860-2866 doi
  17. Статья
    Web of Science & Scopus
    THE INFLUENCE OF THE DEVICE GEOMETRY ON THE PARTIALLY DEPLETED SOI TRANSISTORS TID HARDNESS // RAD 2015: THE THIRD INTERNATIONAL CONFERENCE ON RADIATION AND APPLICATIONS IN VARIOUS FIELDS OF RESEARCH, 2015 Vol. 393-397 pp. 393-397
  18. Статья
    Web of Science & Scopus
    Automatic control system for memory chips performance in a radiation experiment // 2015 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2015 - Proceedings, 2015 doi
  19. Статья
    Web of Science & Scopus
    Investigation of nonuniform degradation of CMOS-sensor light-sensitive surface under gamma-irradiation // Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS, 2015 Vol. 2015-December doi
  20. Статья
    Web of Science & Scopus
    Method of SEU-hardness assurance for SRAM with error correction using focused laser sources // Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS, 2015 Vol. 2015-December doi
  21. Статья
    Web of Science & Scopus
    Automated I-V measurement system for CMOS SOI transistor test structures // 2015 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2015 - Proceedings, 2015 doi
  22. Статья
    Web of Science & Scopus
    Infrared focal plane array FPA320?256 radiation hardness investigation // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2014 pp. 195-198 doi
  23. Статья
    Web of Science & Scopus
    Design of 65 nm CMOS SRAM for space applications: A comparative study // IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014 Vol. 61, No. 4, Q2 pp. 1575-1582 doi
  24. Статья
    Web of Science & Scopus
    Flash memory cells data loss caused by total ionizing dose and heavy ions // Central European Journal of Physics, 2014 Vol. 12, No. 10, Q3 pp. 725-729 doi
  25. Статья
    Web of Science & Scopus
    Effect of topological placement of memory cells in memory chips on multiplicity of cell upsets from heavy charged particles // Russian Microelectronics, 2014 Vol. 43, No. 2, Q3 pp. 96-101 doi

Согласие на обработку персональных данных получено в соответствии с Федеральным законом от 27.07.2006 № 152-ФЗ «О персональных данных»